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UF1010A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO220\n在工业电力系统中,该产品可用于开关电源、电机驱动器和UPS(不间断电源)等模块,以实现对电能的高效控制和转换。
供应商型号: UF1010A-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UF1010A-VB

UF1010A-VB概述

    UF1010A N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UF1010A 是一款由 VBsemi 生产的 N-Channel 60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种类型的电子元器件广泛应用于各种电源管理和开关电路中,如电动机控制、直流-直流转换器以及电池充电器等。

    技术参数


    - 最大耐压:60V (VDS)
    - 栅源电压:±20V (VGS)
    - 连续漏极电流(TJ=175°C):120A(TC=25°C),90A(TC=100°C)
    - 脉冲漏极电流:350A
    - 最大功率耗散:136W(TC=25°C),3W(TA=25°C)
    - 结到环境热阻率(RthJA):15°C/W(脉冲测试)
    - 结到外壳热阻率(RthJC):0.85°C/W
    - 工作温度范围:-55°C 到 175°C
    - 关态漏电流:1μA(VDS=60V,VGS=0V)
    - 通态电阻(RDS(on)):5mΩ(VGS=10V,ID=20A)
    - 输入电容:6800pF
    - 输出电容:570pF
    - 反向传输电容:325pF
    - 总门极电荷:47nC 至 70nC
    - 上升时间:15ns 至 25ns

    产品特点和优势


    - 高可靠性:UF1010A 具有高达 175°C 的结温能力,能够承受极端工作条件。
    - TrenchFET® 技术:采用先进的 TrenchFET® 工艺,提供低导通电阻和高效率。
    - 出色的热性能:优秀的散热设计保证了器件在高功率应用中的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    UF1010A 主要应用于需要高性能开关的应用中,例如电机驱动、LED 照明、以及电池管理系统。根据手册中的描述,可以考虑如下使用建议:
    - 并联连接:如果需要更高的电流处理能力,可以通过并联多个 UF1010A 实现。
    - 散热管理:确保良好的散热机制,以充分利用器件的最大功率耗散能力。
    - 过压保护:添加适当的过压保护电路,防止意外过压损坏器件。

    兼容性和支持


    UF1010A 采用标准的 TO-220AB 封装,易于与其他标准封装的元器件互换。VBsemi 提供了详细的技术支持和客户服务,确保用户能够在使用过程中得到及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    - Q:UF1010A 是否可以在高温环境下工作?
    - A: 是的,UF1010A 可以在 -55°C 至 175°C 的温度范围内工作。

    - Q:如何确保 UF1010A 在高电流应用中的稳定性?
    - A: 使用适当的散热措施,并根据手册中的数据选择合适的外围电路设计。

    总结和推荐


    UF1010A N-Channel 60V MOSFET 是一款适用于高要求应用的优质电子元器件,具备出色的热性能、高可靠性及先进的工艺技术。特别适合在需要高性能开关的场合中使用。总体来说,强烈推荐该产品用于需要稳定可靠的开关应用中。
    如有任何疑问,可联系服务热线:400-655-8788 获取更多帮助。

UF1010A-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 120A
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,44mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.6V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UF1010A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UF1010A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UF1010A-VB UF1010A-VB数据手册

UF1010A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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