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FS2KM-12-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: FS2KM-12-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FS2KM-12-VB

FS2KM-12-VB概述

    FS2KM-12-VB N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FS2KM-12-VB 是一款 N-Channel 650V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件主要用于高电压、高电流的应用场景,如电源转换、电机驱动、工业控制等。其特点在于低导通电阻(RDS(on))和高可靠性,适用于需要高效能量传输和高电压处理的应用环境。

    技术参数


    以下是 FS2KM-12-VB 的关键技术参数:
    - 额定电压 (VDS): 650V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 4.0Ω @ 10V VGS
    - 最大栅极电荷 (Qg): 11nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 2.3nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 5.2nC
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 165mJ
    - 最大结温 (TJ): -55°C 到 +150°C
    - 热阻 (RthJA): 65°C/W
    - 连续漏极电流 (ID): 1.28A
    - 峰值二极管恢复电压变化率 (dV/dt): 2.8V/ns

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:Qg = 11nC,低栅极电荷使得驱动要求简单,降低驱动电路的设计复杂度。
    - 增强的耐用性:通过改进的门限、雪崩和动态 dV/dt 防护,确保器件的可靠性。
    - 全面的容差表征:完全表征了电容和雪崩电压及电流特性。
    - 环保合规:符合欧盟 RoHS 指令 2002/95/EC,绿色环保。

    应用案例和使用建议


    - 电源转换:在高电压输入的情况下,FS2KM-12-VB 可以有效地减少损耗并提高转换效率。
    - 电机驱动:由于其高耐压能力和大电流输出能力,适用于电机控制中的开关电路。
    - 工业控制:可以用于工业自动化设备中,提供可靠的电力管理解决方案。
    使用建议:
    - 在设计驱动电路时,注意选择合适的栅极电阻 (RG),以避免过高的栅极驱动电压。
    - 在进行散热设计时,考虑 FS2KM-12-VB 的热阻 (RthJA),确保良好的热管理和散热。

    兼容性和支持


    FS2KM-12-VB 与其他标准 TO-220 封装的器件兼容,便于安装和替换。厂商提供详细的技术文档和应用指南,同时提供售前技术支持和售后维修服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高电流工作时,器件过热。
    - 解决方法:增加外部散热片,或者优化电路设计,降低功耗。
    - 问题:驱动电压不稳定。
    - 解决方法:检查驱动电路,确保足够的驱动电压和电流稳定性。
    - 问题:雪崩测试过程中出现损坏。
    - 解决方法:检查雪崩保护电路的设计,确保不超过最大允许的雪崩能量。

    总结和推荐


    总体而言,FS2KM-12-VB 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel 650V 功率 MOSFET。它具有优秀的导通电阻和耐用性,适用于多种高电压和高电流应用场景。建议在需要高效能电力转换和高可靠性保护的系统中使用。
    推荐给需要高效率和稳定性的客户,尤其是在电力转换、电机驱动和工业自动化等领域。

FS2KM-12-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 2A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7Ω@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FS2KM-12-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FS2KM-12-VB数据手册

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FS2KM-12-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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