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4503GM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款双 N 型和 P 型沟道功率 MOSFET,采用槽沟技术制造。该产品具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用。封装为 SOP8,易于安装和集成,适用于各种电路设计。±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V)
供应商型号: 4503GM-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4503GM-VB

4503GM-VB概述


    产品简介


    产品类型与功能
    N-和P-通道30V(D-S)MOSFET是一种采用TrenchFET®技术制造的功率MOSFET。它适用于电机驱动及移动电源等领域,是现代电力转换和控制电路的理想选择。该产品具有低导通电阻(RDS(on)),能够在高电流下提供低损耗的工作性能。
    应用领域
    - 电机驱动:适用于需要高效能驱动的应用,如工业机器人、家用电器等。
    - 移动电源:确保便携式设备能够稳定可靠地工作。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 栅极-源极电压(VGS):±20V
    - 漏极-源极电压(VDS):30V
    - 连续漏极电流(TJ = 150 °C):
    - TC = 25 °C时:8A
    - TC = 70 °C时:6.8A
    - 单脉冲雪崩电流:IAS 10A (N-Ch), 20A (P-Ch)
    - 最大耗散功率:3.1W (N-Ch), 3.2W (P-Ch)
    规格参数
    - 漏极-源极击穿电压(VDS):30V
    - 阈值电压温度系数(ΔVGS(th)/TJ):N-Ch:-4.1 mV/°C, P-Ch:5 mV/°C
    - 零栅压漏极电流(IDSS):N-Ch:1μA, P-Ch:-1μA
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - N-Ch:0.018Ω (VGS=10V), 0.024Ω (VGS=4.5V)
    - P-Ch:0.040Ω (VGS=-10V), 0.050Ω (VGS=-4.5V)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:该MOSFET具有非常低的导通电阻,从而显著降低了功耗。
    - 高温性能:可在高达150°C的温度下工作,适用于高温环境下的应用。
    - 可靠性测试:通过100% Rg和UIS测试,保证了产品的长期稳定性。
    - 环保材料:采用无卤素材料制造,符合IEC 61249-2-21标准,符合RoHS要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电机驱动:在一个家电项目的电机驱动中,客户采用了这款MOSFET,实现了高效率的电机驱动和可靠的运行。
    使用建议
    - 散热设计:在高功率应用中,注意散热设计以确保MOSFET的工作温度不超过绝对最大额定值。
    - 保护措施:在电路中加入过流保护和过热保护,以避免损坏MOSFET。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品兼容现有的SO-8封装,便于替换和升级。
    - 支持和服务:VBsemi提供技术支持和售后服务,包括在线文档和热线电话服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 确保正确的栅极电阻(Rg),减少寄生电容的影响。 |
    | 温度过高 | 改善散热设计,考虑增加外部散热片。 |
    | 烧毁现象 | 确认驱动电路正确,检查是否有过压或过流情况。 |

    总结和推荐


    综合评估
    该N-和P-通道30V MOSFET具有出色的性能和可靠性,适用于各种电力转换和控制应用。低导通电阻和高温性能使其在严苛环境中也能保持良好的工作状态。
    推荐
    强烈推荐在需要高效率和高可靠性电力转换的场合使用此产品。无论是用于电机驱动还是移动电源,该产品都能提供卓越的性能和长期的可靠性。

4503GM-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.65V
Id-连续漏极电流 9A,6A
Rds(On)-漏源导通电阻 15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V
FET类型 N+P沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 ±30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

4503GM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4503GM-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4503GM-VB 4503GM-VB数据手册

4503GM-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
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型号 价格(含增值税)
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