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FDD6N25TF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,250V,4A,RDS(ON),800mΩ@10V,960mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V);TO252
供应商型号: FDD6N25TF-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDD6N25TF-VB

FDD6N25TF-VB概述

    FDD6N25TF Power MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    FDD6N25TF 是一款 N-Channel 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电流和高频应用。这款 MOSFET 在动态 dV/dt 速率、重复雪崩额定值和快速开关等方面表现出色,特别适合需要高可靠性和高效能的应用场合。

    技术参数


    - VDS(漏源电压):250V
    - RDS(on)(导通电阻):在 VGS=10V 时为 0.64Ω
    - Qg(栅极电荷):最大值为 14nC
    - Qgs(栅源电荷):2.7nC
    - Qgd(栅漏电荷):7.8nC
    - 连续漏极电流:在 TC=25°C 时为 4.5A,在 TC=100°C 时为 3.0A
    - 脉冲漏极电流:16A
    - 单脉冲雪崩能量:130mJ
    - 重复雪崩电流:4.5A
    - 重复雪崩能量:5.2mJ
    - 最大功耗:在 TC=25°C 时为 45W
    - 峰值二极管恢复 dV/dt:4.8V/ns
    - 工作结温及存储温度范围:-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    1. 快速开关:具有优异的动态 dV/dt 特性,能够迅速响应信号变化。
    2. 重复雪崩额定值:可以承受高能脉冲,适合恶劣的工作环境。
    3. 便于并联:易于与其他器件并联,提高功率处理能力。
    4. 低导通电阻:低 RDS(on) 值使得损耗减少,效率提高。

    应用案例和使用建议


    1. 工业控制:FDD6N25TF 可用于电机驱动、电源转换等工业控制系统中,其高可靠性使其成为优选。
    2. 通信设备:适用于通信设备中的开关电源部分,快速响应和低损耗是关键需求。
    3. 照明系统:用于 LED 驱动电路中,实现高效的能量转换。
    使用建议:
    - 确保 PCB 设计中有足够的散热措施,如增加铜箔区域以增强散热。
    - 选择合适的栅极驱动器,确保驱动信号能够快速稳定地改变栅极电压,从而充分利用 MOSFET 的快速开关特性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与常见的 PCB 材料 FR-4 或 G-10 兼容。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和支持,包括 PCB 设计指南和安装说明,确保用户能够正确使用和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 高温下性能下降:增加散热片或使用热导性更好的 PCB 材料。
    2. 开关频率过高导致过热:适当降低开关频率,或者采用更高散热能力的设计。
    3. 过载保护失效:确保负载不会超过 MOSFET 的额定值,定期检查连接点的接触情况。

    总结和推荐


    FDD6N25TF 是一款高性能的 N-Channel 功率 MOSFET,具备出色的动态性能和可靠性。其快速开关、低导通电阻和重复雪崩额定值使其在多种高要求应用中表现出色。综合考虑其性能和应用需求,强烈推荐用于高可靠性要求的应用场合。

FDD6N25TF-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 250V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 800mΩ@10V,960mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 4A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDD6N25TF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDD6N25TF-VB数据手册

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FDD6N25TF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
2500+ ¥ 2.3759
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