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UF730L-TF3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: 14M-UF730L-TF3-T-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UF730L-TF3-T-VB

UF730L-TF3-T-VB概述

    UF730L-TF3-T 电子元器件技术手册

    产品简介


    UF730L-TF3-T 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电力转换应用。它以其低通态电阻(RDS(on))和高开关速度著称,在服务器、电信电源、开关电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明(如高强度放电灯HID和荧光灯球泡)和工业领域中广泛应用。

    技术参数


    - 最大耐压值(VDS): 650 V
    - 最大连续漏极电流(TJ = 150 °C): 4 A
    - 栅源阈值电压(VGS(th)): 2 V ~ 4 V
    - 零栅源电压漏极电流(IDSS): 1 μA @ VDS = 650 V
    - 最大功率耗散(PD): 30 W
    - 输入电容(Ciss): -
    - 输出电容(Coss): -
    - 有效输出电容,能量相关(Co(er)): -
    - 有效输出电容,时间相关(Co(tr)): -
    - 总栅极电荷(Qg): 最大50 nC
    - 门极输入电阻(Rg): 最大3.5 Ω

    产品特点和优势


    1. 低通态电阻:具有低的通态电阻,有助于降低导通损耗,提升效率。
    2. 快速开关:通过低输入电容和低总栅极电荷,实现快速开关,减少开关损耗。
    3. 重复冲击耐受能力:单脉冲雪崩能量高达80 mJ,保证可靠运行。
    4. 高集成度和小型化:TO-220 Fullpak封装,适合紧凑型设计需求。
    5. 宽工作温度范围:-55°C至+150°C的工作温度范围,适合严苛环境。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:在高可靠性要求下使用,可确保电源系统的高效稳定运行。
    - 开关电源(SMPS):利用其低开关损耗,提高整体系统效率。
    - 照明:特别是在高强度放电(HID)和荧光灯球泡的应用中,可以提供可靠的电力控制。
    - 工业应用:在各种工业控制系统中,用于电机驱动和其他电力转换装置中。
    使用建议:
    - 在设计电路时,要特别注意散热管理,以确保MOSFET在高温下的稳定性。
    - 为了进一步降低功耗,可以在可能的情况下选择更高频率的操作模式,以充分利用其快速开关的特点。

    兼容性和支持


    UF730L-TF3-T 与其他标准的电子元器件和设备高度兼容,可以无缝集成到现有的电路设计中。厂商提供了详细的技术文档和支持,包括热设计指南和应用说明,以帮助客户更好地利用这一产品。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 开关过程中出现过大的电压尖峰如何解决?
    - A: 可以考虑增加栅极电阻(Rg)来限制开关速度,或者使用适当的缓冲电路来吸收尖峰电压。
    2. Q: 如何确定MOSFET是否过热?
    - A: 通过测量外壳温度或使用专用传感器监测温度。如果超过安全范围,及时采取措施降低负载或改善散热。
    3. Q: MOSFET在启动时发生击穿现象怎么办?
    - A: 检查电源电压是否过高或输入电容是否偏小。调整电源设计,增加限流电阻,以防止过电压。

    总结和推荐


    UF730L-TF3-T 作为一款高性能的N沟道功率MOSFET,凭借其出色的开关特性和低损耗特性,在电力转换应用中表现出色。其广泛的适用性和优秀的性能指标使其成为多种应用场景的理想选择。强烈推荐给需要高效、可靠电力转换解决方案的设计者和技术人员。对于那些对成本敏感且追求高性能的项目来说,UF730L-TF3-T 是一个非常不错的选择。

UF730L-TF3-T-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 10A
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UF730L-TF3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UF730L-TF3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UF730L-TF3-T-VB UF730L-TF3-T-VB数据手册

UF730L-TF3-T-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 5.0995
10+ ¥ 4.6442
30+ ¥ 4.3841
100+ ¥ 3.861
1000+ ¥ 3.7154
3000+ ¥ 3.6425
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型号 价格(含增值税)
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