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TSM4416DCS RLG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,8.5A,RDS(ON),20mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: TSM4416DCS RLG-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TSM4416DCS RLG-VB

TSM4416DCS RLG-VB概述

    Dual N-Channel 30 V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    Dual N-Channel 30 V MOSFET 是一款由台湾VBsemi公司生产的双路N沟道功率场效应晶体管(Power MOSFET)。该产品广泛应用于笔记本系统电源管理和低电流直流-直流转换等领域,具备出色的稳定性和可靠性。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压 (VDS):30 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C 时:8.5 A
    - TC = 70°C 时:7.5 A
    - TA = 25°C 时:7.2 A
    - TA = 70°C 时:5.9 A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):10 A
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TC = 25°C 时:3.1 W
    - TC = 70°C 时:2.0 W
    - 热阻:
    - 最大结至环境热阻 (RthJA):52 °C/W
    - 最大结至引脚(漏)热阻 (RthJF):30 °C/W
    - 电气特性:
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):VDS = 30 V, VGS = 0 V 时为 1 μA
    - 阈值电压 (VGS(th)):1.2~2.5 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 8 A 时:0.016 Ω
    - VGS = 4.5 V, ID = 5 A 时:0.020 Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - VDS = 15 V, VGS = 10 V, ID = 8 A 时:14.5 nC
    - VDS = 15 V, VGS = 4.5 V, ID = 8 A 时:7.1 nC

    3. 产品特点和优势


    Dual N-Channel 30 V MOSFET 具有以下几个显著特点和优势:
    - TrenchFET技术:采用先进的TrenchFET技术,使得MOSFET具有更低的导通电阻和更高的效率。
    - 高可靠性测试:100% Rg和UIS测试,确保产品的可靠性和耐用性。
    - RoHS合规:符合欧盟RoHS指令2002/95/EC,环保无污染。
    - 宽工作温度范围:从-55°C到150°C,适用于各种严苛的工作环境。

    4. 应用案例和使用建议


    该MOSFET常用于笔记本电脑系统的电源管理和低电流直流-直流转换电路中。具体应用场景如下:
    - 笔记本电脑电源管理:作为关键电源管理组件,提高系统整体能效。
    - 低电流直流-直流转换:实现高效的电源转换,适用于小电流应用场合。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑热管理,确保不会超过器件的最大允许温度。
    - 测试不同工作条件下的性能表现,以便优化系统性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品兼容标准的SO-8封装,易于与其他常见的电子元件集成。
    - 技术支持:台湾VBsemi公司提供详细的技术文档和支持服务,帮助用户解决使用过程中的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:温度过高的问题。
    - 解决方案:增加散热片或者使用外部风扇,改善散热条件。
    - 问题2:无法正常启动。
    - 解决方案:检查栅极电压是否正确,确保达到门限电压以上。
    - 问题3:噪声干扰问题。
    - 解决方案:添加滤波电容,减少电磁干扰。

    7. 总结和推荐


    综上所述,Dual N-Channel 30 V MOSFET 是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET。它具有较低的导通电阻、高可靠性和宽工作温度范围,适用于多种应用场合。强烈推荐在笔记本系统电源管理和低电流直流-直流转换电路中使用。

TSM4416DCS RLG-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@10V,12mΩ@4.5V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 8.5A
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

TSM4416DCS RLG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TSM4416DCS RLG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 TSM4416DCS RLG-VB TSM4416DCS RLG-VB数据手册

TSM4416DCS RLG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
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