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K3992-ZK-E2-AY-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252\n该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
供应商型号: K3992-ZK-E2-AY-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3992-ZK-E2-AY-VB

K3992-ZK-E2-AY-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高效能的电子元件,广泛应用于各种电源管理和控制电路中。该产品采用了先进的TrenchFET®沟槽技术,确保了低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力。主要应用领域包括服务器、OR-ing(即二极管保护)和其他需要高可靠性的DC/DC转换器应用。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 | 30 | V |
    | 连续漏电流 | 100 | A |
    | 漏源导通电阻 | 0.002(VGS=10V时) | Ω |
    | 最大脉冲漏电流 | 300 | A |
    | 额定功耗 | 235 | W |
    | 最大工作温度范围 | -55至175 | °C |
    | 热阻抗(结到环境) | 32 | °C/W |
    | 热阻抗(结到外壳) | 0.5 | °C/W |

    产品特点和优势


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET具备以下特点和优势:
    - 低导通电阻:RDS(on)仅为0.002 Ω(VGS=10V),保证了在高电流条件下的低损耗。
    - 高可靠性:所有产品均经过100% Rg和UIS测试,确保其在极端条件下的可靠性。
    - 环保合规:符合RoHS Directive 2011/65/EU标准,确保产品无有害物质。
    - 低功耗设计:在不同工作条件下提供良好的热稳定性,最大限度减少功率损耗。

    应用案例和使用建议


    - 服务器应用:适用于高负载服务器电源管理,能够有效降低功耗并提高系统效率。
    - OR-ing电路:在多个电源之间进行安全切换,避免瞬态电压冲击对系统的损害。
    - DC/DC转换器:通过高效的开关控制,实现高效率的能量转换。
    使用建议:
    - 在高频开关应用中,注意使用适当的驱动电阻以优化开关速度和减少开关损耗。
    - 确保散热措施到位,特别是高功率应用时,要防止过热导致的故障。

    兼容性和支持


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET采用行业标准的TO-252封装,易于安装和替换。厂商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。此外,公司网站上还提供了丰富的资源,包括技术论坛和应用笔记,以供用户交流和学习。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | MOSFET在高电流下发热严重 | 加强散热措施,使用合适的散热器或风扇 |
    | 开关频率异常 | 检查驱动电路,确保合适的驱动电阻 |
    | 过流保护不起作用 | 检查电路连接,确保正确的反馈电路设置 |

    总结和推荐


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET凭借其低导通电阻、高可靠性及环保合规等特点,在服务器、OR-ing电路和DC/DC转换器等应用场景中表现出色。我们强烈推荐这一产品给寻求高效、稳定和可靠的电源管理解决方案的用户。其优秀的性能和厂商提供的完善技术支持,使其成为市场上同类产品中的佼佼者。

K3992-ZK-E2-AY-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 100A
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3992-ZK-E2-AY-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3992-ZK-E2-AY-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3992-ZK-E2-AY-VB K3992-ZK-E2-AY-VB数据手册

K3992-ZK-E2-AY-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
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