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UT2352G-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: 14M-UT2352G-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT2352G-AE3-R-VB

UT2352G-AE3-R-VB概述

    P-Channel 30V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    产品类型:P-Channel 30V(D-S)MOSFET
    主要功能:作为高效率的功率管理元件,该MOSFET特别适用于负载开关、笔记本适配器开关及DC/DC转换器等移动计算相关的应用场景。
    应用领域:
    - 移动计算设备(如智能手机、平板电脑)
    - 笔记本电脑适配器设计
    - DC/DC电源转换解决方案

    技术参数


    以下为该MOSFET的关键技术参数摘要:
    | 参数 | 符号 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS -30 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | -0.5 | 2.0 V |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | -1 | -5 µA |
    | 开启状态漏源电阻 | RDS(on) | 0.046Ω 0.054Ω | Ω |
    | 总栅电荷 | Qg | 11.4 | 24 | 36 | nC |
    | 反向恢复时间 | trr | 15 23 | ns |
    | 反向恢复电荷 | Qrr | 7 14 | nC |
    其他支持参数包括温度范围(-55°C至150°C)、热阻抗(RthJA典型值为75°C/W,最大值100°C/W),以及脉冲额定值如最大脉冲漏极电流IDM(可达18A)。

    产品特点和优势


    1. 高效能的TrenchFET® 技术:结合先进的沟槽制造工艺,显著降低导通电阻RDS(on),从而减少功耗并提升整体效率。
    2. 高可靠性:经过100%栅极电阻测试(Rg测试),确保产品质量稳定可靠。
    3. 低静态电流消耗:适用于需要长时间待机的便携式设备。
    4. 广泛的温度适应性:可在极端温度条件下保持稳定性能。

    应用案例和使用建议


    1. 移动计算设备中的负载开关:利用其快速开关特性和低损耗特点,优化电池供电系统的能量管理。
    2. DC/DC转换器:在高效电源转换过程中,可实现较低的发热效应和更高的功率密度。
    3. 具体使用建议:
    - 在实际应用时,务必根据数据表中的最大脉冲电流和热阻抗来合理选择散热措施。
    - 使用SOT-23封装的小体积设计非常适合空间受限的应用场景。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此款MOSFET与其他标准SOT-23封装器件高度兼容,便于替换现有设计。
    - 支持服务:提供官方技术支持热线(400-655-8788),及时解答客户疑问并提供必要的设计指导。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度较慢 | 减少栅极电阻Rg以加快切换速度 |
    | 发热严重 | 添加散热片或使用更大的PCB面积 |
    | 芯片过热保护触发 | 确保散热条件满足要求或降低负载需求 |

    总结和推荐


    该P-Channel 30V MOSFET凭借其卓越的技术指标、高效的性能表现以及广泛的应用适配性,在移动计算设备和便携式电子产品领域具有显著优势。无论是对于原始设备制造商还是系统集成商,这款器件都是一个值得信赖的选择。总体而言,我们强烈推荐此产品用于高效率功率管理场合。

UT2352G-AE3-R-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 5.6A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT2352G-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT2352G-AE3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT2352G-AE3-R-VB UT2352G-AE3-R-VB数据手册

UT2352G-AE3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.5058
50+ ¥ 0.476
150+ ¥ 0.4248
500+ ¥ 0.3183
3000+ ¥ 0.3064
9000+ ¥ 0.2975
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起订量: 5 增量: 3000
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