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K1101-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: K1101-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1101-01MR-VB

K1101-01MR-VB概述

    K1101-01MR-VB 650V N-Channel Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K1101-01MR-VB 是一款高性能的N沟道650V功率MOSFET,具有低导通电阻和高可靠性。它适用于多种高电压应用场合,包括服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)和工业照明等领域。K1101-01MR-VB 集成了卓越的电气特性和较低的开关损耗,使其成为替代传统晶体管的理想选择。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS):最大值为650V
    - 导通电阻(RDS(on)):在25°C下典型值为0.038Ω
    - 总栅极电荷(Qg):最大值为43nC
    - 栅极输入电阻(Rg):典型值为3.5Ω
    - 反向恢复时间(trr):在25°C时最大值为345ns
    - 连续漏电流(ID):在25°C时为12A,在100°C时为9.4A
    - 脉冲漏电流(IDM):最大值为45A
    - 最大功耗(PD):3.6W/°C
    - 工作温度范围:-55°C至+150°C

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:低RDS(on)值使得导通损耗减少,提高了整体效率。
    2. 低输入电容:低输入电容(Ciss)有助于减少驱动器的功耗。
    3. 快速开关特性:低总栅极电荷(Qg)和反向恢复时间(trr)使得开关速度快,适用于高频电路。
    4. 增强型结构:具备强大的雪崩能量承受能力(UIS),适用于恶劣的工作环境。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:K1101-01MR-VB 可用于数据中心和电信基站,提高电源系统的效率和可靠性。
    - 照明系统:特别是在 HID 和荧光灯控制系统中,该 MOSFET 的高可靠性确保了长期稳定运行。
    - 工业应用:适合于需要高可靠性的工业电源设备,如电机驱动器和变频器。
    使用建议:
    - 在设计电路时,要考虑到散热问题,合理设计散热片,以确保MOSFET在高温下的稳定性。
    - 使用外部栅极电阻(Rg)来限制栅极电压的变化速率,避免电压尖峰引起的损坏。
    - 为了减少开关损耗,可以在栅极驱动电路中加入缓冲电路。

    兼容性和支持


    K1101-01MR-VB 可与其他标准的功率 MOSFET 兼容,且厂商提供全面的技术支持和维护服务。客户可以通过电话或在线平台获得技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 过热保护:
    - 问题:长时间工作导致过热。
    - 解决方案:添加散热片或改进散热机制,确保MOSFET在安全温度范围内运行。
    2. 电磁干扰(EMI):
    - 问题:可能由于开关速度导致电磁干扰增加。
    - 解决方案:在电路中加入RC滤波器,降低电磁干扰的影响。
    3. 漏电流过高:
    - 问题:长时间工作后出现漏电流异常。
    - 解决方案:检查电路布局是否有短路或接触不良情况,必要时更换新的MOSFET。

    总结和推荐


    K1101-01MR-VB是一款集低导通电阻和高可靠性于一体的高性能N沟道650V MOSFET,适用于多种高压应用场合。其优异的电气特性和可靠的设计使其成为电力电子设备的优选产品。推荐在需要高效率和高可靠性的场合使用该产品,例如电源管理、工业控制等领域。

K1101-01MR-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 12A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1101-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1101-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1101-01MR-VB K1101-01MR-VB数据手册

K1101-01MR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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