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HUF75617D3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,15A,RDS(ON),115mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.41Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: HUF75617D3-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HUF75617D3-VB

HUF75617D3-VB概述

    HUF75617D3 N-Channel 100 V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型: HUF75617D3 是一款 N-Channel 100 V(漏-源)MOSFET,适用于多种高要求的应用场合。
    主要功能: 该器件采用了 DT-Trench 技术,具有较高的开关速度和低导通电阻。同时,它支持高工作温度(最高可达 175°C),适用于工业级和消费电子中的高压开关应用。
    应用领域:
    - 主要侧开关(Primary Side Switch)
    - 工业自动化
    - 汽车电子
    - 高压电源转换系统

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏-源电压 \( V{DS} \): 100 V
    - 门-源电压 \( V{GS} \): ± 20 V
    - 连续漏电流 (TJ = 175 °C) \( ID \): 15 A(TC = 25 °C),8.7 A(TC = 125 °C)
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \): 45 A
    - 最大功率耗散 \( PD \): 61 W(TC = 25 °C),2.7 W(TA = 25 °C)
    - 工作结温和存储温度范围 \( T{J}, T{stg} \): -55 到 175 °C
    - 静态参数
    - 漏-源击穿电压 \( V{DS} \): 100 V
    - 门阈值电压 \( V{GS(th)} \): -
    - 零门电压漏极电流 \( I{DSS} \): 1 µA(VDS = 100 V, VGS = 0 V)
    - 开启状态漏极电流 \( I{D(on)} \): 15 A(VDS = 5 V, VGS = 10 V)
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.110 Ω(VGS = 10 V, ID = 15 A)

    - 动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 892 pF(VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容 \( C{oss} \): 110 pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 70 pF
    - 总门电荷 \( Qg \): 20 nC(VDS = 75 V, VGS = 10 V, ID = 15 A)
    - 门-源电荷 \( Q{gs} \): 5.5 nC
    - 门-漏电荷 \( Q{gd} \): 7 nC
    - 门电阻 \( Rg \): 1 Ω

    3. 产品特点和优势


    - 高温稳定性: 该器件可在高达 175°C 的结温下正常工作,适用于恶劣环境下的应用。
    - 高可靠性: 所有样品经过 100% 的 Rg 测试,确保质量和可靠性。
    - 低导通电阻: 在标准条件下(VGS = 10 V, ID = 15 A),其导通电阻仅为 0.110 Ω。
    - 快速开关性能: 具备优秀的动态参数,如低输入电容和快速上升时间。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 在开关电源转换器中作为初级侧开关,用于提升效率和减少热量。
    - 在汽车电子控制单元中作为负载开关,提供稳定的电压供给。
    - 使用建议:
    - 在高频应用中,注意控制电路的布局,以减小寄生电感,提高整体效率。
    - 确保散热设计合理,避免长时间过热运行导致器件失效。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该器件采用 TO-251 封装,广泛兼容现有电路板设计和连接器。
    - 支持: 厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括热阻计算和驱动电路设计指南。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关频率过高导致器件过热。
    - 解决方案: 优化 PCB 布局,使用散热片并适当降低工作频率。
    - 问题: 在高温环境下工作时,器件导通电阻增加。
    - 解决方案: 使用散热良好的外壳,并选择合适的散热材料进行辅助冷却。

    7. 总结和推荐


    综上所述,HUF75617D3 MOSFET 具备出色的高温稳定性和低导通电阻,适合于多种高要求的应用场景。尽管价格略高,但由于其卓越的性能和可靠性,强烈推荐在关键任务和高性能需求的电子系统中使用。建议根据具体应用环境进行充分测试,确保其满足所有性能指标。

HUF75617D3-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,120mΩ@4.5V
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.41V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 15A
最大功率耗散 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

HUF75617D3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HUF75617D3-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HUF75617D3-VB HUF75617D3-VB数据手册

HUF75617D3-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.5546
100+ ¥ 1.4394
500+ ¥ 1.3818
4000+ ¥ 1.3243
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起订量: 20 增量: 4000
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