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FY044C-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: FY044C-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FY044C-VB

FY044C-VB概述

    FY044C-VB N-Channel MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    FY044C-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有低导通电阻(RDS(on))和快速开关速度,适用于各种高效率应用。该器件采用表面贴装技术,可通过卷带供应,支持无卤素材料,符合RoHS指令。它主要用于电源转换器、电机驱动和其他需要高效能和高可靠性开关的应用。

    2. 技术参数


    - 电气特性
    - 漏源电压 (VDS): 60 V
    - 连续漏极电流 (ID): 50 A (Tc=25°C),36 A (Tc=100°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 200 A
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.024 Ω (VGS=10V),0.028 Ω (VGS=4.5V)
    - 输入电容 (Ciss): 190 pF
    - 输出电容 (Coss): -
    - 门极电荷 (Qg): 66 nC
    - 热阻率
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 62°C/W
    - 最大结到环境热阻 (PCB安装) (RthJA): 40°C/W
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC): 1.0°C/W
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 60 V
    - 门源电压 (VGS): ±20 V
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 400 mJ
    - 最大功耗 (PD): 150 W (Tc=25°C),3.7 W (TA=25°C)
    - 峰值二极管恢复 (dV/dt): 4.5 V/ns

    3. 产品特点和优势


    - 无卤素材料:符合IEC 61249-2-21标准,确保环保。
    - 表面贴装:易于自动化生产和组装。
    - 快速开关:适合高频应用。
    - 逻辑级门驱动:可直接由微控制器驱动。
    - 高性能导通电阻:降低功耗,提高效率。

    4. 应用案例和使用建议


    FY044C-VB 广泛应用于电源转换器、电机驱动器、太阳能逆变器等领域。例如,在电源转换器中,它可以有效减少开关损耗,提高整体系统效率。在使用时,建议采用合理的PCB布局以减少寄生电感,提高散热效果。对于高温应用,可以考虑使用更大的散热片来降低结温,延长器件寿命。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于标准的表面贴装设备。
    - 支持:提供详细的技术文档和支持服务,如需要定制化支持,可联系VBsemi技术支持团队。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中过热。
    - 解决方案: 检查PCB布局,增加散热片或优化散热设计。
    - 问题2: 无法正常开关。
    - 解决方案: 确保门极电压在合适的范围内,检查门极驱动电路。
    - 问题3: 导通电阻偏高。
    - 解决方案: 检查门极电压是否足够高,确保达到阈值电压。

    7. 总结和推荐


    总体而言,FY044C-VB 是一款高性能、可靠且易于使用的N沟道功率MOSFET,适用于多种高效率应用。其低导通电阻、快速开关特性和无卤素材料使其成为市场上的一款优秀选择。强烈推荐用于需要高效能和高可靠性的应用场合。

FY044C-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 50A
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FY044C-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FY044C-VB数据手册

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FY044C-VB封装设计

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