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K3563_06-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K3563_06-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3563_06-VB

K3563_06-VB概述

    Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高效能的开关器件,主要用于服务器和电信电源供应、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)、照明及工业应用等领域。它具有极低的导通电阻(RDS(on)),适用于需要高效率和高可靠性的应用场合。

    技术参数


    - 最大漏源电压(VDS): 650 V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)): 在VGS=10 V时,典型值为1 Ω
    - 总栅极电荷(Qg): 最大值为12 nC
    - 输入电容(Ciss): 最大值为31 pF
    - 输出电容(Coss): 未提供具体数值
    - 反向传输电容(Crss): 未提供具体数值
    - 最大脉冲漏电流(IDM): 3.5 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 97 mJ
    - 最大功耗(PD): 140 W
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    1. 低图腾值(Ron x Qg): 减少开关损耗和导通损耗。
    2. 低输入电容(Ciss): 降低栅极驱动损耗。
    3. 减少的开关和导通损耗: 高效开关性能。
    4. 超低栅极电荷(Qg): 快速开关性能。
    5. 雪崩能量额定值(UIS): 良好的耐用性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应: 这类应用对效率和可靠性要求较高,Power MOSFET 的高效性能和低损耗特性能够满足需求。
    - 工业应用: 在这些环境中,高可靠性和稳定性是关键因素,Power MOSFET 的耐用性和可靠性能够确保系统的长期稳定运行。
    使用建议:
    - 保持栅极驱动电压在适当的范围内,以避免过高的栅极电压导致器件损坏。
    - 使用合理的散热措施,确保结温不超过规定的工作温度范围。

    兼容性和支持


    Power MOSFET 与现有的大多数电源系统兼容,其 TO-220 FULLPAK 封装易于安装和更换。制造商提供了详尽的技术支持和维护文档,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 栅极驱动电压过高导致损坏:
    - 解决方案: 确保栅极驱动电压不超过规定的最大值。

    2. 结温过高导致过热保护:
    - 解决方案: 使用散热器或其他有效的散热方式,确保工作温度不超出规定范围。
    3. 开关频率过高导致栅极电荷增加:
    - 解决方案: 选择合适的驱动电阻,以减少栅极电荷。

    总结和推荐


    Power MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,特别适用于高效率、高可靠性的应用场景。其显著的低损耗特性和广泛的适用范围使其在市场上具有很强的竞争优势。综上所述,强烈推荐使用这款产品。

K3563_06-VB参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 7A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3563_06-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3563_06-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3563_06-VB K3563_06-VB数据手册

K3563_06-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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