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UT30P04L-TM3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-40V,-55A,RDS(ON),10mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: UT30P04L-TM3-T-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT30P04L-TM3-T-VB

UT30P04L-TM3-T-VB概述

    UT30P04L-TM3-T P-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    UT30P04L-TM3-T 是一款 P 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有极低的导通电阻(RDS(on)),适用于各种高效率电源转换应用。此器件具有出色的开关特性和高频操作能力,特别适合用于便携式电子产品、通信设备和工业控制系统中的电源管理。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 | - | -40 | - | V |
    | 持续漏电流 | - | - | -52 | A |
    | 脉冲漏电流 | - | - | -220 | A |
    | 反复雪崩电流 | - | - | -60 | A |
    | 雪崩能量 | - | - | 180 | mJ |
    | 工作温度范围 | -55 | - | 175 | °C |
    | 导通电阻 | 0.010 | - | 0.023 | Ω |
    | 门限电压 | -1.0 | - | -2.5 | V |
    | 零门电压漏电流 | -1 | - | -50 | µA |
    | 输入电容 | 3000 | - | - | pF |
    | 输出电容 | 620 | - | - | pF |
    | 反向转移电容 | 315 | - | - | pF |
    | 总门电荷 | 160 | - | - | nC |
    | 上升时间 | 225 | - | 360 | ns |

    3. 产品特点和优势


    UT30P04L-TM3-T 的主要优势包括:
    - 低导通电阻:典型值为 0.010Ω,确保了高效的功率损耗,特别适用于高电流应用。
    - 高可靠性:符合 RoHS 标准,不含铅,环保且安全可靠。
    - 优异的开关性能:快速的开关时间和低的导通/关断延迟时间,适合高频开关应用。
    - 宽工作温度范围:支持从 -55°C 到 175°C 的极端工作环境,适应性强。
    - 优秀的散热性能:在不同封装条件下具有良好的热阻特性。

    4. 应用案例和使用建议


    UT30P04L-TM3-T 主要应用于:
    - 电池供电设备的电源转换
    - 高频逆变器和开关电源
    - 工业自动化控制系统的电源管理
    使用建议:
    - 在高电流应用中,应避免超过绝对最大额定值以防止过热和损坏。
    - 使用适当的散热设计和布局,特别是对于大电流应用。

    5. 兼容性和支持


    UT30P04L-TM3-T 支持标准引脚布局,可与大多数电路板设计兼容。厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的使用指南和技术文档,帮助客户快速上手。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中发热严重 | 确保良好的散热设计,并检查是否存在短路或过载情况 |
    | 漏电流过高 | 检查门限电压设置是否正确,确认无反向偏置影响 |
    | 开关时间过长 | 检查门电荷是否过大,适当调整栅极电阻值 |

    7. 总结和推荐


    UT30P04L-TM3-T 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,具备低导通电阻、快速开关性能和高可靠性等优点,广泛适用于多种电源管理和高频开关应用。考虑到其卓越的性能和广泛的应用范围,强烈推荐在需要高效、稳定电力转换的场合使用。

UT30P04L-TM3-T-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,14mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 55A
配置 -
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UT30P04L-TM3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT30P04L-TM3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT30P04L-TM3-T-VB UT30P04L-TM3-T-VB数据手册

UT30P04L-TM3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.8212
4000+ ¥ 1.742
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