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UTD351LAE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
供应商型号: UTD351LAE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTD351LAE3-R-VB

UTD351LAE3-R-VB概述

    # UTD351LAE3-R N-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    UTD351LAE3-R 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,具有 30V 的最大漏源电压 (VDS)。该器件采用先进的 TrenchFET® 技术,提供低导通电阻 (RDS(on)) 和快速开关性能。广泛应用于 DC/DC 转换器等领域,适用于高效能功率管理和负载切换场合。
    主要功能
    - 最大漏源电压 (VDS): 30V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.030Ω(VGS=10V),0.033Ω(VGS=4.5V)
    - 标称栅源阈值电压 (VGS(th)): 0.7~2.0V
    - 支持卤素-free 和 RoHS 合规
    应用领域
    - DC/DC 转换器
    - 开关电源管理
    - 高效功率放大电路
    - 功率分配系统

    技术参数


    以下是 UTD351LAE3-R 的关键性能参数和电气特性:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 30 V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.030 0.033 | Ω (VGS=10V/4.5V) |
    | 栅源电荷 | Qg | 2.1 | 4.5 | 6.7 | nC |
    | 电容 | Ciss | 335 pF |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55°C 150°C
    其他绝对最大额定值包括:
    - 最大漏源电流 (ID): 6.5A (TC=25°C)
    - 最大功率耗散 (PD): 1.7W (TC=25°C)
    - 热阻抗 (RthJA): 90~115°C/W

    产品特点和优势


    UTD351LAE3-R MOSFET 的核心优势包括:
    1. 低导通电阻 (RDS(on)): 提高效率并减少功耗。
    2. 快速开关性能: 适合高频开关应用。
    3. 绿色环保设计: 满足 RoHS 和 Halogen-free 标准,环保友好。
    4. 卓越的热管理能力: 高效的热阻抗确保长时间稳定运行。
    5. 优异的可靠性: 提供 100% Rg 测试保证,确保产品质量。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC/DC 转换器: 在高频电源转换中,UTD351LAE3-R 可以显著降低损耗,提高转换效率。
    - 电池管理: 在锂离子电池保护电路中,可以用于过流保护和开关控制。
    使用建议
    1. 选择合适的驱动电压: 推荐使用 10V 驱动电压以达到最低导通电阻。
    2. 注意散热设计: 尤其是在高电流环境下,需加强散热措施。
    3. 避免超过额定参数: 确保操作条件不超过绝对最大额定值,防止损坏。

    兼容性和支持


    UTD351LAE3-R 支持多种标准封装 (TO-236/SOT-23),便于集成到现有设计中。厂商提供完善的技术支持和售后服务,包括详尽的数据手册和技术文档,以及在线客服和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | RDS(on) 过高 | 调整 VGS 至 10V,优化驱动电路。 |
    | 过热问题 | 添加外部散热片或风扇辅助散热。 |
    | 开关速度慢 | 降低栅极电阻 (Rg),优化驱动波形。 |

    总结和推荐


    UTD351LAE3-R N-Channel MOSFET 是一款高性能、环保型功率半导体器件,适合于各类高效率功率管理和控制场景。其优异的导通电阻、快速开关特性和可靠的绿色环保设计使其在市场上具备较强的竞争优势。推荐在需要高效率和长寿命的应用中优先选用。
    如果您正在寻找一款可靠、高效的功率 MOSFET,UTD351LAE3-R 将是您的理想选择。联系官方服务热线 400-655-8788 获取更多支持和购买信息。

UTD351LAE3-R-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 6.5A
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V~2.2V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,33mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTD351LAE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTD351LAE3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTD351LAE3-R-VB UTD351LAE3-R-VB数据手册

UTD351LAE3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
80+ ¥ 0.3493
300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
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起订量: 80 增量: 3000
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