处理中...

首页  >  产品百科  >  K1826-VB

K1826-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
供应商型号: K1826-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1826-VB

K1826-VB概述

    N-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本手册介绍了VBsemi公司的N-Channel 60-V (D-S) MOSFET。这是一种高性能的低阈值电压功率MOSFET,适用于各种电子系统中的逻辑接口、驱动器及电池操作等领域。它具备出色的电气特性和稳定的工作环境,能够在多种应用场景中表现出色。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏源击穿电压(VDS):60 V
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 漏极连续电流(ID):250 mA(在TA=25°C时)
    - 脉冲漏极电流(IDM):800 mA
    - 电阻参数
    - 导通状态漏源电阻(RDS(on)):2.8 Ω(在VGS=10 V,ID=250 mA时)
    - 电容参数
    - 输入电容(Ciss):25 pF(在VDS=25 V,VGS=0 V时)
    - 输出电容(Coss):5 pF
    - 反向传输电容(Crss):2.0 pF
    - 开关时间
    - 导通时间(td(on)):20 ns
    - 关断时间(td(off)):30 ns
    - 工作环境
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 最大结温至环境温差:350 °C/W
    - 其他特性
    - 封装形式:SOT-23
    - 符合标准:IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

    产品特点和优势


    - 低阈值电压:2 V(典型值),适合低电压操作。
    - 低输入电容:25 pF,利于快速开关。
    - 快速切换速度:25 ns,适于高速电路设计。
    - 高可靠性:通过1200V ESD保护测试。
    - 环保设计:无卤素材料,符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    - 逻辑接口:用于TTL/CMOS的直接逻辑电平接口。
    - 驱动器:适用于继电器、电磁铁、灯泡、锤子、显示器、存储器和晶体管等驱动。
    - 电池操作:适用于电池供电系统。
    - 推荐使用建议:在设计电路时,应注意散热设计,以确保长期稳定性。对于高电流应用,应考虑使用散热片或冷却系统。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与其他标准SOT-23封装的器件兼容。
    - 支持信息:制造商提供详尽的技术支持文档,包括安装指南、故障排除和维护建议。若需要更多帮助,可拨打400-655-8788联系服务热线。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:产品过热
    - 解决方法:添加散热片,改进散热设计。
    - 问题2:开关频率过高导致发热严重
    - 解决方法:减少开关频率,或增加散热措施。
    - 问题3:工作电压超出范围
    - 解决方法:检查电源,确保在额定范围内使用。

    总结和推荐


    这款N-Channel 60-V MOSFET凭借其低阈值电压、快速开关速度和高可靠性,在多种应用场景中表现出色。特别适合需要低功耗、高可靠性的电池供电系统。因此,我们强烈推荐使用此产品,以满足您的应用需求。

K1826-VB参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 300mA
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K1826-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1826-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1826-VB K1826-VB数据手册

K1826-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
140+ ¥ 0.1945
300+ ¥ 0.1801
500+ ¥ 0.1729
3000+ ¥ 0.1657
库存: 400000
起订量: 140 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:140
合计: ¥ 27.23
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0