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NTP22N06-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: NTP22N06-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTP22N06-VB

NTP22N06-VB概述

    电子元器件产品技术手册

    1. 产品简介


    NTP22N06是一款N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Enhancement MOSFET)。它具有低栅极开启电压、快速开关特性以及逻辑电平门驱动,适用于多种工业控制、电源转换和电机驱动等应用领域。

    2. 技术参数


    - 封装类型:TO-220AB,表面贴装。
    - 电气特性:
    - 最大漏源电压(VDS):60V
    - 连续漏电流(ID):25°C时50A;100°C时36A
    - 脉冲漏电流(IDM):200A
    - 无卤素,符合RoHS指令2002/95/EC
    - 工作温度范围:-55°C至+175°C

    3. 产品特点和优势


    NTP22N06的主要特点是其低RDS(on)值、快速开关特性和高可靠性。这些特性使其特别适合在高频开关电源、电池管理等领域中应用。相比同类产品,它的耐高温性能更优越,且符合严格的环保标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:适用于电动汽车充电系统、太阳能逆变器和电机驱动控制器。
    - 使用建议:在使用过程中应注意热管理和电路布局设计,确保足够的散热,减少寄生电感,以充分发挥其快速开关性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该器件支持标准的SMT工艺,适用于大部分现代PCB设计。
    - 厂商支持:提供详细的技术支持文档和技术热线,以帮助客户解决使用过程中的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:过热导致性能下降。
    - 解决方案:增加散热片或改进散热设计,如采用铜质散热器。
    - 问题:开关频率不稳定。
    - 解决方案:检查并调整驱动电路,确保稳定的门驱动信号。

    7. 总结和推荐


    NTP22N06凭借其出色的性能、严格的环保标准以及良好的市场表现,非常值得推荐用于各种电力转换和控制应用。对于需要高可靠性和高性能的场合,这款产品无疑是理想的选择。

NTP22N06-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 50A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NTP22N06-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTP22N06-VB数据手册

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NTP22N06-VB封装设计

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