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H5N2522LS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,250V,16A,RDS(ON),230mΩ@10V,276mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: H5N2522LS-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) H5N2522LS-VB

H5N2522LS-VB概述

    Power MOSFET H5N2522LS 技术手册概览

    1. 产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常见的电子元器件,主要应用于电源转换、电机控制、汽车电子、照明系统等领域。这款H5N2522LS型号的Power MOSFET具有动态dV/dt等级高、重复雪崩额定值高等特点,适用于需要快速开关、易于并联的场合。其驱动需求简单,使得其应用范围更加广泛。

    2. 技术参数


    - 基本特性:
    - 漏源电压(VDS): 250V
    - 门源阈值电压(VGS(th)): 2.0~4.0V
    - 零门电压漏电流(IDSS): 最大250μA
    - 导通电阻(RDS(on)): 10V时为0.23Ω
    - 门电荷(Qg): 68nC
    - 最大连续漏电流(ID): 10V时为16A
    - 最大脉冲漏电流(IDM): 56A
    - 绝对最大额定值:
    - 最大结温(TJ): -55°C到+150°C
    - 最大结到环境热阻(RthJA): 62°C/W
    - 最大重复雪崩能量(EAR): 13mJ
    - 热阻特性:
    - 最大结到壳热阻(RthJC): 1.0°C/W
    - 最大壳到散热器热阻(RthCS): 0.50°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 高动态dV/dt等级: 可承受高频率变化,适用于快速开关的应用场景。
    - 重复雪崩额定值高: 能够在极端工作条件下稳定运行,提供更高的可靠性。
    - 快速开关: 降低功耗,提高效率。
    - 易于并联: 简化电路设计,提升系统整体性能。
    - 简单的驱动需求: 降低了系统的复杂性和成本。

    4. 应用案例和使用建议


    H5N2522LS Power MOSFET可用于多种应用场合,如开关电源、电池充电器、电动汽车逆变器等。在使用过程中,需注意以下几点以确保最佳性能:
    - 在高频率开关应用中,应注意热管理和电容的选择,以避免过热。
    - 使用低寄生电感布局,以减少信号干扰。
    - 应用中需考虑合适的驱动电路设计,以确保开关时间的准确性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与市面上主流的D2PAK封装兼容,方便集成于现有系统中。
    - 支持: 厂商提供详尽的技术文档和支持,包括热管理指南、驱动电路设计建议等。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 过热导致性能下降。
    - 解决办法: 改善散热措施,如增加散热片、改善气流设计。
    - 问题2: 开关频率过高导致电噪声。
    - 解决办法: 选择合适的电容值,进行屏蔽处理。
    - 问题3: 无法实现快速开关。
    - 解决办法: 优化驱动电路设计,减小门极电阻。

    7. 总结和推荐


    H5N2522LS是一款高性能、易用的Power MOSFET,适用于多种高要求的应用场景。其优异的动态dV/dt性能、高重复雪崩额定值以及简单的驱动需求使其在市场上具备很强的竞争优势。尽管在特定应用中可能需要额外的关注和调整,但总体而言,这款产品值得推荐使用。
    通过以上内容,您能够全面了解H5N2522LS Power MOSFET的技术特点、应用范围及其优缺点,从而更好地利用这款产品满足您的需求。

H5N2522LS-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 16A
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 250V
Rds(On)-漏源导通电阻 230mΩ@10V,276mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

H5N2522LS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

H5N2522LS-VB数据手册

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H5N2522LS-VB封装设计

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