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K1611-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,850V,5A,RDS(ON),2200mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F\n在LED照明驱动器中,需要高性能的功率开关器件来控制电流和亮度,可用作开关元件,提供可靠的驱动功能。
供应商型号: K1611-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1611-VB

K1611-VB概述


    产品简介


    N-Channel MOSFET K1611-VB
    K1611-VB是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有高性能、高可靠性的特点。其主要功能包括动态dV/dt额定值、重复雪崩额定值、隔离式中心安装孔、快速开关、易于并联等。该产品广泛应用于电源管理、电机驱动、LED照明、逆变器和各类电力转换设备中。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 (VDS): 850V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏电流 (ID): 25°C时为25A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 770mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 2W(在25°C)
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 (VDS): 850V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2.0V ~ 4.0V
    - 零栅电压漏电流 (IDSS): ≤10μA
    - 动态特性
    - 总栅极电荷 (Qg): ≤28nC
    - 输入电容 (Ciss): ≤5nC
    - 开启延迟时间 (td(on)): ≤5ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): ≤5ns
    - 热阻抗
    - 最大结至外壳电阻 (RthJC): 0.65°C/W
    - 最大结至环境电阻 (RthJA): 40°C/W
    - 工作环境
    - 工作结温范围: -55°C ~ +150°C
    - 存储温度范围: -55°C ~ +150°C

    产品特点和优势


    1. 动态dV/dt额定值:可承受高瞬态电压变化,适用于要求高的电力系统。
    2. 重复雪崩额定值:允许在高电流冲击下稳定工作,适用于工业级电力设备。
    3. 隔离式中心安装孔:方便安装,减少电磁干扰。
    4. 快速开关:具备快速的开启和关闭速度,提高工作效率。
    5. 简单驱动需求:只需要简单的驱动电路即可操作。
    6. 符合RoHS标准:环保材料,符合国际环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在LED照明系统中作为开关器件,用于调节电流。
    - 在电动汽车充电站中作为主控开关,控制充电过程中的电流和电压。
    使用建议:
    - 在使用时需注意散热设计,避免因过热导致失效。
    - 需要合理配置栅极驱动电路,确保快速而稳定的开关。
    - 建议使用低感性PCB布局,以减少噪声干扰。

    兼容性和支持


    K1611-VB与常见的电子元器件和设备具有良好的兼容性,能够无缝集成到各种电路设计中。供应商提供了详细的技术支持文档和售后服务,帮助用户解决使用过程中遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关速度慢
    - 解决方法: 检查驱动电路的设计,确保提供足够的栅极驱动电压。
    2. 问题: 功率耗散过高
    - 解决方法: 改善散热设计,如增加散热片或采用水冷系统。
    3. 问题: 不能正确关闭
    - 解决方法: 检查栅极驱动信号,确认信号波形是否正确,必要时增加驱动电阻。

    总结和推荐


    K1611-VB MOSFET 是一款高性能、高可靠性的N沟道功率MOSFET,具备多种优点,包括动态dV/dt额定值、重复雪崩额定值、快速开关等。在多种应用场景中表现出色,特别是在需要高可靠性、快速响应的应用场合中表现优异。综合考虑其性能和适用性,强烈推荐使用K1611-VB作为高效可靠的电力管理系统中的关键组件。

K1611-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 5A
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.2Ω@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 850V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1611-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1611-VB数据手册

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K1611-VB封装设计

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500+ ¥ 5.1826
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