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HMS8N65-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: HMS8N65-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HMS8N65-VB

HMS8N65-VB概述

    HMS8N65-VB MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    HMS8N65-VB 是一种N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),它主要用于服务器、电信电源、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)等领域。此外,HMS8N65-VB 也广泛应用于高亮度放电灯(HID)照明、荧光灯照明和其他工业设备中。

    2. 技术参数


    HMS8N65-VB 的关键技术参数如下:
    - 最大耐压(VDS):650V
    - 最大连续漏极电流(ID):150°C时为7A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):150°C时为186A
    - 总栅极电荷(Qg):12nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs):4.5nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):4.5nC
    - 导通电阻(RDS(on)):15mΩ(10V栅极电压,4A漏极电流)
    - 工作温度范围:-55°C至+150°C

    3. 产品特点和优势


    HMS8N65-VB 具有以下特点和优势:
    - 低FOM(RON x QG):低导通电阻和低栅极电荷的结合使得它具有优秀的动态性能。
    - 低输入电容(CISS):降低开关损耗。
    - 低栅极电荷(QG):减少开关时间和损耗。
    - 雪崩能量等级(UIS):具备较高的抗雪崩能力,保证在极端条件下的可靠性。
    - 低反向恢复时间和电荷:提升逆向二极管的性能,适用于高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    HMS8N65-VB 在多种电源转换应用中表现优异,例如服务器电源、电信电源、SMPS 和 PFC。为了确保最佳性能,建议采用以下措施:
    - 散热设计:由于该器件的热阻较高,必须提供有效的散热措施,以防止过热。
    - 门驱动电路:推荐使用专用的门驱动器,以确保快速而稳定的开关。
    - 电路布局:尽可能减少寄生电感,使用接地平面,并考虑较低泄漏电感。

    5. 兼容性和支持


    HMS8N65-VB 可与其他同类MOSFET配合使用,但需注意其不同的热阻和电气特性。VBsemi 公司提供了详尽的技术文档和支持,包括典型应用场景和技术支持热线 400-655-8788。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定合适的散热器?
    - 解决方法:根据产品手册中的热阻参数选择合适的散热器,并进行实际热测试以验证效果。
    - 问题2:开关频率较高时出现振铃现象怎么办?
    - 解决方法:在门极添加缓冲电路以抑制振铃,如RC网络或其他专门的抑制电路。
    - 问题3:启动时出现异常关断怎么办?
    - 解决方法:检查门极驱动信号是否有故障,确保驱动电压稳定且无噪声。

    7. 总结和推荐


    HMS8N65-VB 是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,以其低FOM、低栅极电荷和优良的动态性能脱颖而出。它在多种电源转换应用中表现出色,且支持多种电源系统的设计。强烈推荐在需要高性能、高效能电源转换的应用中使用 HMS8N65-VB。如果你需要进一步的技术支持,可以联系技术支持热线 400-655-8788。

HMS8N65-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 9A
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

HMS8N65-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HMS8N65-VB数据手册

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HMS8N65-VB封装设计

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