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K1982-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: K1982-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1982-01MR-VB

K1982-01MR-VB概述

    K1982-01MR-VB Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K1982-01MR-VB 是一款高性能 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为多种高功率应用场景设计。其核心特点是低损耗、高可靠性和快速开关速度,适用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及工业和照明应用(如高强度放电灯和荧光灯)。

    技术参数


    K1982-01MR-VB 的技术规格详细如下:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | 650 | - | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | 2 | 4 | - | V |
    | 栅极泄漏电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    | 零门电压漏极电流 | IDSS | - | - | 10 | μA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | - | 4.0 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | - | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | - | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | - | 40 | nC |
    | 门极-源极电荷 | Qgs | - | - | - | nC |
    | 门极-漏极电荷 | Qgd | - | - | - | nC |

    产品特点和优势


    K1982-01MR-VB 的主要特点和优势包括:
    - 低通态电阻 (RDS(on)),有助于减少导通损耗。
    - 低输入电容 (Ciss),降低了栅极驱动损耗。
    - 超低栅极电荷 (Qg),提高了开关速度。
    - 良好的重复脉冲能量耐受能力,增强了可靠性。
    - 高速开关性能,适用于高频应用。

    应用案例和使用建议


    K1982-01MR-VB 适用于多种高功率转换应用。例如,在 SMPS 中作为主开关,可以显著提高效率和降低热耗散。在 HID 和荧光灯的应用中,K1982-01MR-VB 可以提供高效的能量转换和较低的电磁干扰。对于工业应用,其高可靠性和稳定的性能使其成为理想选择。
    使用建议:
    - 确保 PCB 设计中减少寄生电感,提高系统稳定性。
    - 适当选择栅极电阻 (Rg),以控制开关过程中的电流上升速率。

    兼容性和支持


    K1982-01MR-VB 与标准 TO-220 FULLPAK 封装兼容,适用于多种散热片和冷却方案。制造商提供详尽的技术支持和售后服务,确保用户能够充分利用其性能优势。

    常见问题与解决方案


    - 问题:过高的导通电阻导致系统效率下降。
    解决方案:检查电路设计,确保栅极驱动电压合适,以减小导通电阻。
    - 问题:高频开关时出现振荡现象。
    解决方案:添加适当的去耦电容和栅极电阻,减少电路寄生电感。

    总结和推荐


    K1982-01MR-VB 是一款性能卓越的 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通损耗、高开关速度和优良的可靠性的特点。适用于需要高效率和稳定性的高功率转换应用。建议在设计复杂或对效率要求较高的系统中使用。该产品在市场上的表现优秀,是一款值得信赖的选择。

K1982-01MR-VB参数

参数
栅极电荷 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 10A
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1982-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1982-01MR-VB数据手册

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K1982-01MR-VB封装设计

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