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NVD5890NLT4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,40V,130A,RDS(ON),3.5mΩ@10V,40mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.3Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: NVD5890NLT4G-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NVD5890NLT4G-VB

NVD5890NLT4G-VB概述

    NVD5890NLT4G N-Channel 40-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NVD5890NLT4G 是一款适用于功率转换和电源管理的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用了 TrenchFET® 功率 MOSFET 技术,能够提供出色的开关性能和高可靠性。这款 MOSFET 主要用于同步整流、电源供应和其他电力应用中。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 40 | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±25 | - | - | V |
    | 连续漏极电流 (TJ = 175°C) | ID | - | 120 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 250 | - | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 320 | - | mJ |
    | 静态导通电阻 | RDS(on) | - | 0.0016 (VGS=10V, ID=30A) | 0.0020 (VGS=4.5V, ID=20A) | Ω |
    | 输入电容 | CISS | - | 650 | - | pF |
    | 反向传输电容 | CRSS | - | 450 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 120 | - | nC |

    产品特点和优势


    NVD5890NLT4G 的主要特点是采用 TrenchFET® 技术,这使得它具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力。此外,该产品经过 100% Rg 和 UIS 测试,确保了其高可靠性和稳定性。该 MOSFET 的低导通电阻使其成为需要高效能的功率转换和电源管理应用的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 同步整流:由于其低导通电阻,该 MOSFET 在高效率的同步整流应用中表现出色。
    - 电源供应:它广泛应用于各种电源模块中,特别是在需要高功率密度的设计中。
    使用建议:
    1. 在选择合适的驱动电路时,考虑到其较高的栅极电荷(Qg),应使用合适的驱动器以确保快速开关。
    2. 为保证长期稳定运行,应在合适的工作温度范围内操作该 MOSFET。
    3. 在设计散热系统时,需考虑到其较高的热阻抗(RthJA),合理设计散热片或风扇以避免过热。

    兼容性和支持


    NVD5890NLT4G 与其他电子元件有良好的兼容性,可直接应用于现有的电源设计中。制造商提供了全面的技术支持和维护服务,确保用户能够顺利地集成该产品到其项目中。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:长时间使用后温度过高。
    - 解决方案: 使用散热片或风扇进行有效散热,并确保电路板的空气流通。
    2. 问题:在某些条件下发生过压。
    - 解决方案: 添加适当的保护电路(如瞬态电压抑制二极管)来防止电压波动。
    3. 问题:切换速度较慢。
    - 解决方案: 使用适当的驱动器以加快切换速度,并优化 PCB 布局减少寄生电容。

    总结和推荐


    综上所述,NVD5890NLT4G 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,具有出色的导通电阻、高可靠性及良好的电气特性。其广泛的应用范围和强大的技术支持使其成为众多电力电子应用的理想选择。强烈推荐在需要高效能和高可靠性的应用中使用此产品。
    通过详细的解析,NVD5890NLT4G 不仅具备高性能的电气参数,还具有广泛的适用性和可靠的兼容性,是市场上同类产品的有力竞争者。

NVD5890NLT4G-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 130A
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.5mΩ@10V,40mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NVD5890NLT4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NVD5890NLT4G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NVD5890NLT4G-VB NVD5890NLT4G-VB数据手册

NVD5890NLT4G-VB封装设计

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