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UPA1930TE-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: UPA1930TE-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA1930TE-VB

UPA1930TE-VB概述

    UPA1930TE P-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    UPA1930TE是一款采用TrenchFET®技术的P沟道功率MOSFET,适用于负载开关应用。该器件具有低导通电阻(RDS(on)),能够有效减少电路中的损耗,提高系统效率。由于采用了无卤素材料设计,UPA1930TE符合IEC 61249-2-21标准,使其在环境保护方面具备竞争优势。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 漏源电压 (VDS):-30 V
    - 最大连续漏极电流 (ID):-4.8 A(TC = 25°C),-4.1 A(TC = 70°C)
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):-1 μA(VDS = -30 V, VGS = 0 V)

    - 电气特性
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -10 V时,RDS(on) = 0.049 Ω(ID = -4.1 A)
    - VGS = -4.5 V时,RDS(on) = 0.054 Ω(ID = -1.0 A)
    - 输入电容 (Ciss):450 pF(VDS = -15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容 (Coss):80 pF
    - 反向转移电容 (Crss):63 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - VGS = -10 V时,Qg = 10-15 nC(ID = -4.1 A)
    - VGS = -4.5 V时,Qg = 5.1-8 nC
    - 热阻抗
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):55 °C/W(TC = 25°C)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:UPA1930TE具有低至0.049 Ω(VGS = -10 V)的导通电阻,有助于减少能耗,提升电路效率。
    - 高可靠性:无卤素材料设计符合环保要求,确保长期使用下的可靠性。
    - 快速开关特性:得益于低栅极电荷和总栅极电容,该器件具备优秀的动态性能,适合高频应用。
    - 宽工作温度范围:可在-55°C到150°C的温度范围内稳定工作,适用于恶劣环境。

    4. 应用案例和使用建议


    - 负载开关应用:UPA1930TE广泛应用于负载开关场合,如电源管理和电机控制等。为了优化系统性能,建议根据具体应用场景选择合适的驱动电路和散热措施。
    - 推荐配置:对于高频率的应用场合,建议使用低电感的栅极驱动器以减少寄生电感的影响。同时,在高温环境下使用时应注意散热设计,避免过热导致的性能下降。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:UPA1930TE为TSOP-6封装,适用于多种标准PCB设计。其引脚布局遵循JEDEC标准,可轻松集成到现有电路板中。
    - 技术支持:台湾VBsemi Electronics提供详尽的技术文档和专业支持,包括应用指南和技术咨询服务。客户可以通过服务热线400-655-8788获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:如何确保MOSFET不超温?
    - 解决办法:建议在设计时考虑适当的散热措施,例如增加散热片或使用高效的散热器,同时确保电路中有足够的空气流通。
    - 问题二:如何选择合适的栅极驱动器?
    - 解决办法:根据具体应用需求选择合适的栅极驱动器。通常建议选择低电感且能提供足够驱动能力的驱动器,以减少寄生电感影响并确保快速开关性能。

    7. 总结和推荐


    UPA1930TE凭借其优异的导通电阻、快速开关特性和广泛的温度适应性,在负载开关领域表现出色。尤其适合于需要高效、可靠的电力管理系统的应用场合。因此,我们强烈推荐UPA1930TE作为高性能P沟道MOSFET的理想选择。

UPA1930TE-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 49mΩ@10V,54mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 4.8A
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA1930TE-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA1930TE-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UPA1930TE-VB UPA1930TE-VB数据手册

UPA1930TE-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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