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NCE8060D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n推出的单极性 N 型沟道 MOSFET,具有80V的额定漏极-源极电压(VDS),可在±20V的门源电压范围内工作。其阈值电压为3V,漏极-源极电阻在VGS=4.5V时为10 m?,在VGS=10V时为6 m?。该器件的最大漏极电流为120A,采用先进的沟道 MOSFET 技术,具有高性能和稳定的特性。封装形式为TO263,适用于各种应用场合。
供应商型号: NCE8060D-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE8060D-VB

NCE8060D-VB概述

    NCE8060D N-Channel 80V (D-S) MOSFET

    1. 产品简介


    NCE8060D 是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于多种电子应用领域。它采用了ThunderFET®技术,能够承受高达175°C的结温,并且通过了100%的栅极电阻和雪崩测试。这种器件非常适合用于电源管理和转换、驱动电机、直流-直流转换器以及通信基础设施等领域。

    2. 技术参数


    以下是NCE8060D的主要技术参数:
    - 绝对最大额定值
    - 栅源电压:±20V
    - 漏源电压:80V
    - 连续漏极电流(TJ=150°C):120A(Tc=25°C)、65A(Tc=125°C)
    - 脉冲漏极电流(t=100μs):225A
    - 单次雪崩能量:125mJ
    - 最大功率耗散(Tc=25°C):370W
    - 操作结温和存储温度范围:-55°C至+175°C
    - 热阻抗额定值
    - 结到环境的热阻抗(PCB安装):40°C/W
    - 结到管壳的热阻抗(漏极):0.75°C/W
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压:80V
    - 栅阈电压:2.5-4.5V
    - 栅体泄漏电流:±100nA
    - 零栅电压漏极电流:1μA(TJ=125°C时为100μA,TJ=175°C时为2mA)
    - 动态特性
    - 输入电容:3330pF
    - 输出电容:1395pF
    - 反向转移电容:95pF
    - 总栅极电荷:53.5-81nC
    - 开通延迟时间:13-26ns
    - 关断延迟时间:27-54ns
    - 雪崩二极管特性
    - 脉冲电流(t=100μs):240A
    - 正向电压(IF=30A):0.86-1.4V
    - 反向恢复时间(IF=30A,di/dt=100A/μs):88-176ns

    3. 产品特点和优势


    - 高耐热性:最高工作温度可达175°C,适合高温环境应用。
    - 高可靠性:经过严格的栅极电阻和雪崩测试。
    - 高效率:优秀的导通电阻(RDS(on)),在不同电压下均表现优异。
    - 快速开关特性:开通和关断时间短,适合高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电源管理:在高压转换应用中,NCE8060D表现出色,可有效减少功率损耗。
    - 驱动电机:适用于需要高电流和低导通电阻的应用。
    - 直流-直流转换器:可用于高效稳定的电源转换。

    - 使用建议:
    - 在设计电路时,确保散热片尺寸足够大以帮助器件散热,特别是在高电流情况下。
    - 使用合适的PCB布局,确保栅极走线尽可能短以减少寄生电感。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NCE8060D采用标准TO-263封装,易于与其他标准PCB兼容。
    - 支持:制造商提供详细的使用指南和技术支持,以帮助客户优化应用设计和解决可能遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:开启电压过高,无法正常工作。
    - 解决方案:检查栅极电压是否达到启动阈值(2.5-4.5V)。如果电压不足,增加驱动电路的输出电压。

    - 问题2:发热严重,影响正常工作。
    - 解决方案:增加散热措施,如增大散热片面积或改进PCB设计以提高散热效果。

    7. 总结和推荐


    NCE8060D 是一款高效、可靠的N沟道MOSFET,具有出色的高温稳定性和高速开关特性。其广泛的应用场景和易用性使其成为电源管理和转换、驱动电机等应用的理想选择。建议在设计电路时充分考虑散热和驱动要求,以发挥其最佳性能。

NCE8060D-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 80V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,10mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 120A
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NCE8060D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE8060D-VB数据手册

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NCE8060D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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