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K42A12N1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,90A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K42A12N1-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K42A12N1-VB

K42A12N1-VB概述

    K42A12N1-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    K42A12N1-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的 N-Channel 100-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款 MOSFET 采用先进的 TrenchFET® 技术,适用于多种电源管理和电机控制应用。它的核心特性包括高耐压能力(100V)、大电流处理能力和宽温度范围(-55°C 至 175°C)。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 100 V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 连续漏极电流 (TJ = 150°C) | ID 90 A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 287 A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS 75 | A |
    | 雪崩能量 | EAS 280 | mJ |
    | 最大功率耗散 (TJ = 25°C) | PD 56 | W |
    | 结到环境热阻率 | RthJA 40 | °C/W |
    | 结到外壳热阻率 | RthJC 0.6 | °C/W |
    | 开启状态下漏源电阻 | RDS(on) | 0.0085 Ω |

    产品特点和优势


    1. 高耐压能力:100V 的漏源电压使得 K42A12N1-VB 在高电压环境中依然可靠。
    2. 宽工作温度范围:-55°C 至 175°C 的工作温度范围使得它适用于严苛的工业环境。
    3. 高可靠性:符合 RoHS 和无卤素标准,确保环保且长期可靠。
    4. 低导通电阻:RDS(on) 值低至 0.0085 Ω(VGS=10V),有助于降低功耗和发热。
    5. 优异的动态特性:包括快速开关时间和低栅极电荷,提高电路效率。

    应用案例和使用建议


    K42A12N1-VB 主要应用于电源管理、电机驱动和汽车电子等领域。例如,在电动汽车充电桩中,可以作为开关管来管理输出电流。
    使用建议:
    - 确保散热设计良好,以避免长时间大电流工作导致过热。
    - 注意布局,以减少寄生电感和杂散电容的影响。
    - 在高频开关应用中,需考虑寄生电容对电路性能的影响。

    兼容性和支持


    K42A12N1-VB 采用 TO-220 全封装,与同系列的产品兼容。VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,包括应用指南和技术支持热线(400-655-8788)。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:电路中出现异常发热现象。
    解决方案:检查电路设计中的散热方案,确保足够的散热措施。
    2. 问题:栅极驱动信号不稳定。
    解决方案:检查驱动电路设计,确认驱动信号的频率和幅值满足要求。
    3. 问题:电路无法正常关断。
    解决方案:检查栅极驱动信号是否正确,确认栅极-源极电压 (VGS) 达到关断条件。

    总结和推荐


    K42A12N1-VB N-Channel 100-V MOSFET 是一款高效可靠的电力电子器件,适合于各种电源管理和电机控制应用。其卓越的耐压能力和宽温度范围使其能够在严苛环境下稳定工作。结合其出色的动态特性和良好的热稳定性,强烈推荐给需要高性能 MOSFET 的工程师和设计师。

K42A12N1-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 90A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,11mΩ@4.5V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K42A12N1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K42A12N1-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K42A12N1-VB K42A12N1-VB数据手册

K42A12N1-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.3194
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