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F730-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220 适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: F730-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) F730-VB

F730-VB概述

    F730-VB 电子元器件技术手册解析

    1. 产品简介


    F730-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于开关电源(SMPS)、不间断电源系统以及高速功率开关等领域。该产品以其低栅极电荷(Qg)和高可靠性而著称,适用于多种电力转换和控制应用。

    2. 技术参数


    F730-VB 的主要技术参数如下表所示:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 600 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±30 V |
    | 漏极连续电流 | ID | - | 8.0 | 5.8 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | 37 A |
    | 静态漏源击穿电压 | VDS | 600 V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 4.0 | V |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS | - | - | 25 | μA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.780 Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1400 pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 180 pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 7.1 pF |
    | 总栅电荷 | Qg | - | - | 49 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | - | 13 | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | - | 20 | nC |

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷:F730-VB 的低栅极电荷(Qg)简化了驱动电路设计,降低了功耗。
    - 增强的耐压能力:改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 的耐用性,使其能够在严苛环境下稳定工作。
    - 全面表征的电容和雪崩电压/电流:确保了产品的可靠性和稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源(SMPS):F730-VB 在开关电源中的典型应用是作为主开关,实现高效能的电压转换。
    - 不间断电源(UPS):在 UPS 系统中,F730-VB 可以提供可靠的电压调节和保护功能。
    - 高速功率开关:适用于需要快速响应和高频率开关的应用场合。
    使用建议:
    - 确保驱动电路的阻抗匹配,避免过高的栅极电压导致器件损坏。
    - 在高频应用中,注意 PCB 布局的优化,减少寄生电感的影响。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:F730-VB 与大多数标准的驱动电路兼容,适用于多种拓扑结构的开关电源。
    - 支持和维护:台湾 VBsemi 提供详尽的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利使用产品并解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:驱动电压过高导致器件损坏。
    解决方案:确保驱动电压不超过额定范围,通常为±30V。
    - 问题2:高温环境下工作不稳定。
    解决方案:确保散热良好,必要时增加散热片或风扇。
    - 问题3:高频开关时出现振铃现象。
    解决方案:优化 PCB 布局,减小寄生电感和电容,适当添加滤波电容。

    7. 总结和推荐


    F730-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,具有低栅极电荷、高可靠性等特点,适用于多种电力转换和控制应用。其广泛的应用场景和良好的技术支持使其在市场上具备较强的竞争力。因此,我们强烈推荐使用 F730-VB 在各种电力电子应用中,特别是在开关电源、不间断电源和高速功率开关等领域。

F730-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 8A
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

F730-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

F730-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 F730-VB F730-VB数据手册

F730-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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