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K2625-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K2625-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2625-VB

K2625-VB概述

    Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种广泛应用在电力转换和控制系统中的高效能开关元件。它主要用作电源转换、驱动电机和其他高功率电子应用中的开关装置。Power MOSFET 在多种场合下表现出色,如服务器和电信电源供应系统、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)、照明系统(高亮度放电灯、荧光灯镇流器)以及工业设备中。

    2. 技术参数


    以下是此Power MOSFET的关键技术参数:
    - 最大漏源电压 (VDS):650V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):最大值为1Ω(在VGS=10V,TJ=25°C)
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值为32nC(在VGS=10V,ID=4A)
    - 栅极-源极电荷 (Qgs):最大值为11.1nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd):最大值为13.8nC
    - 极限参数包括:
    - 漏源电压 (VDS):最大值650V
    - 栅源电压 (VGS):±30V
    - 连续漏电流 (ID):最大值12A(TJ=150°C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):最大值86mJ

    3. 产品特点和优势


    - 低损耗:通过降低栅极电荷和开关损耗,该MOSFET表现出极低的导通电阻和开关损耗,使其成为高效率应用的理想选择。
    - 高可靠性:具有良好的耐高温和高瞬态电压处理能力,适合严苛的工作环境。
    - 集成反向二极管:内置的反向二极管使得该器件非常适合需要保护和快速恢复的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应系统:适用于需要高可靠性和高效率的场合。
    - 工业设备:在各种高功率应用中表现优异,尤其是在需要紧凑设计和高效率的地方。

    使用建议:
    - 为了确保最佳性能,应注意保持合适的栅极驱动电压和适当的散热设计,避免过热损坏。
    - 在高速切换应用中,考虑使用较低的栅极电阻以减小延迟时间。

    5. 兼容性和支持


    - 本产品可与其他标准电路板设计和电源管理集成电路兼容。
    - 厂商提供详尽的技术支持,包括安装指南、数据表和技术支持热线(服务热线:400-655-8788)。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:设备过热
    - 解决方案:检查散热片的设计是否合适,适当增加散热面积或改善气流。
    - 问题2:启动时电流过高
    - 解决方案:调整栅极电阻值,确保栅极驱动电压符合要求。

    7. 总结和推荐


    总结:这款Power MOSFET凭借其低损耗、高可靠性及内置反向二极管的特点,在多种高功率应用中表现出色。其技术参数完全满足大多数工业和商业需求。
    推荐:强烈推荐使用该产品用于高效率、高可靠性要求的应用场合。确保遵循正确的安装和使用指南,以获得最佳性能和延长使用寿命。

K2625-VB参数

参数
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 7A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2625-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2625-VB数据手册

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K2625-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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