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NTD5407NT4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V) 封装:TO252 由于其中等漏极电流和适中的漏极-源极电阻,可用于设计各种电源模块,如直流-直流(DC-DC)转换器和交流-直流(AC-DC)转换器。
供应商型号: 14M-NTD5407NT4G-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD5407NT4G-VB

NTD5407NT4G-VB概述

    NTD5407NT4G N-Channel 40-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NTD5407NT4G 是一款高性能的N沟道40V(D-S)MOSFET,采用TrenchFET® Power MOSFET技术制造。它适用于多种应用场景,如OR-ing、服务器和DC/DC转换器。这些应用要求电源转换效率高且可靠性强,而这款MOSFET正具备这些特点。

    技术参数


    NTD5407NT4G 的技术规格如下:
    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDS): 40 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (ID): 15.8 A(TA = 25 °C),45 A(TC = 25 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 200 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 94.8 mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 100 W(TC = 25 °C),75 W(TC = 70 °C)
    - 热阻参数
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 32 °C/W
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC): 0.5 °C/W
    - 开关参数
    - 总门极电荷 (Qg): 2 nC(VGS = 4.5 V),2 nC(VGS = 10 V)
    - 上升时间 (tr): 11-17 ns
    - 下降时间 (tf): 10-15 ns

    产品特点和优势


    NTD5407NT4G 的主要特点和优势包括:
    - 高效的功率转换:得益于TrenchFET®技术,它具有低导通电阻(RDS(on))和高速开关特性。
    - 高度可靠:经过100%的Rg和UIS测试,确保其在高电流和高温下的稳定性。
    - 环保认证:符合RoHS标准,绿色环保,符合欧盟规定。

    应用案例和使用建议


    NTD5407NT4G 广泛应用于服务器、DC/DC转换器等领域。例如,在服务器电源设计中,该MOSFET可以有效减少热损耗,提高能效。
    使用建议:
    - 在设计电源系统时,需考虑散热措施以防止温度过高导致损坏。
    - 在高频应用中,应选择合适的栅极电阻以优化开关速度和降低功耗。

    兼容性和支持


    NTD5407NT4G 与现有的许多电路板和系统兼容,易于集成。厂商提供了详细的用户指南和技术支持服务,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能会遇到的问题及解决方案:
    - 问题:高温环境下工作不稳定。
    - 解决方案:增加散热片或使用散热器,确保良好的散热条件。

    - 问题:启动和关断延迟时间较长。
    - 解决方案:调整栅极电阻值,优化电路布局,缩短延迟时间。

    总结和推荐


    NTD5407NT4G 在设计上集成了先进的TrenchFET®技术,提供优异的性能和可靠性。其广泛的适用范围和高效能使其成为服务器和DC/DC转换器等应用的理想选择。强烈推荐该产品用于需要高效能、高可靠性的场合。
    通过以上分析可以看出,NTD5407NT4G 是一款值得信赖的产品,其卓越的性能和广泛应用前景使其在市场上具备强大的竞争力。

NTD5407NT4G-VB参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,14mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 50A
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.78V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTD5407NT4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD5407NT4G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTD5407NT4G-VB NTD5407NT4G-VB数据手册

NTD5407NT4G-VB封装设计

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