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K3603-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,200V,20A,RDS(ON),90mΩ@10V,100mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:TO220F\n由于其高漏极-源极电压和较大的漏极电流容量,可用于开关电源、逆变器和DC/DC转换器等电源模块,实现稳定高效的电能转换。
供应商型号: 14M-K3603-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3603-01MR-VB

K3603-01MR-VB概述

    K3603-01MR-VB N-Channel 200V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:K3603-01MR-VB 是一款 N-Channel 200V 漏极-源极 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电子应用场合。
    主要功能:
    - 支持动态 dv/dt 评级,快速开关。
    - 全面雪崩等级认证,能够承受高能量脉冲。
    - 通过 RoHS 和 IEC 61249-2-21 认证,符合环保标准。
    - 低至高温度范围(-55°C 到 150°C)的工作环境。
    应用领域:
    - 广泛应用于工业控制、汽车电子、电源管理和通讯设备等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | - | 200 | V |
    | 栅极-源极阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 漏极连续电流 | ID (TC=25°C) | - | - | 20 | A |
    | 雪崩脉冲能量 | EAS | - | - | 580 | mJ |
    | 最大耗散功率 | PD (TA=25°C)| - | - | 13 | W |
    | 动态 dV/dt 等级 | dV/dt | - | - | 5.0 | V/ns |

    3. 产品特点和优势


    - 低热阻设计:最大结到环境的热阻为 40°C/W,适合高效散热的应用环境。
    - 高可靠性:全面雪崩等级认证确保在极端条件下依然稳定运行。
    - 环保材料:无卤素,RoHS 合规,满足现代电子产品的环保要求。
    - 快速开关:支持高速切换,适合高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 用于电机驱动电路中作为开关器件,实现高效能的电机控制。
    - 在车载电子系统中作为逆变器的功率转换部件。
    使用建议:
    - 设计电路时应考虑散热措施,尤其是在高电流应用中。
    - 根据不同应用环境调整栅极电阻,以达到最佳开关速度和功耗平衡。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:支持表面贴装和低轮廓通孔安装,便于集成到不同类型的 PCB 中。
    - 支持信息:提供详尽的技术文档和测试条件,帮助客户更好地理解和使用产品。

    6. 常见问题与解决方案


    问题:如何避免高温下的热击穿?
    解决方案:确保 PCB 的热设计合理,散热良好。根据需要增加散热片或者散热风扇,降低工作温度。

    7. 总结和推荐


    总结:
    K3603-01MR-VB N-Channel 200V MOSFET 在多种工业和汽车应用中表现出色。它具有出色的耐压能力和快速开关能力,加上优异的环保性能和可靠设计,使其成为众多电子系统的理想选择。
    推荐:
    对于追求高性能和可靠性的电子工程师来说,K3603-01MR-VB 是一个值得推荐的产品。它不仅能满足各种复杂的应用需求,还能在苛刻的环境中保持长期稳定的运行表现。

K3603-01MR-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@10V,100mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 200V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 20A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3603-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3603-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3603-01MR-VB K3603-01MR-VB数据手册

K3603-01MR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 7.0675
30+ ¥ 6.6717
100+ ¥ 5.8757
1000+ ¥ 5.654
3000+ ¥ 5.5431
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