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LSD11N65E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,11A,RDS(ON),420mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO-220F
供应商型号: LSD11N65E-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) LSD11N65E-VB

LSD11N65E-VB概述

    LSD11N65E N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET

    1. 产品简介


    LSD11N65E是一款适用于高压应用的N沟道650V超级结功率MOSFET。它具备低导通电阻和低门极电荷,适用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统(如高强度放电灯HID和荧光灯球泡)。此外,它还适用于工业设备。

    2. 技术参数


    - 关键参数:
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 650 V
    - 最大连续漏电流 \( ID \): 11 A @ TC = 25°C, 9.7 A @ TC = 100°C
    - 最大脉冲漏电流 \( I{DM} \): 55 A
    - 最大单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 132 mJ
    - 最高功耗 \( PD \): 83 W (取决于环境温度)
    - 绝对最大额定值下的热阻 \( R{thJA} \): 60 °C/W (最大结到环境)
    - 漏源间电容 \( C{oss} \): 63 pF @ VDS = 0 V to 520 V, VGS = 0 V
    - 总门极电荷 \( Qg \): 38 nC (典型值)
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 650 V
    - 门极-源极阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2-4 V
    - 门极-源极漏电流 \( I{GSS} \): ±100 nA (VGS = ±20 V), ±1 μA (VGS = ±30 V)
    - 零门极电压漏电流 \( I{DSS} \): 1 μA (VDS = 650 V, VGS = 0 V)
    - 动态参数:
    - 输入电容 \( C{iss} \): 680 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 未提供
    - 逆向传输电容 \( C{rss} \): 未提供
    - 有效输出电容,能量相关 \( C{o(er)} \): 63 pF
    - 有效输出电容,时间相关 \( C{o(tr)} \): 113 pF
    - 门极-源极电荷 \( Q{gs} \): 4 nC
    - 门极-漏极电荷 \( Q{gd} \): 4.2 nC
    - 体二极管参数:
    - 持续源-漏极二极管电流 \( IS \): 11 A
    - 脉冲二极管前向电流 \( I{SM} \): 55 A
    - 二极管前向电压 \( V{SD} \): 1.5 V (TJ = 25°C, IS = 5 A, VGS = 0 V)
    - 反向恢复时间 \( t{rr} \): 270 ns (TJ = 25°C, IF = IS = 5 A, dI/dt = 100 A/μs, VR = 400 V)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 \( R{DS(on)} \): 在10 V栅极电压下为0.42 Ω,使得器件在工作时具有较低的功耗。
    - 低输入电容 \( C{iss} \): 减少了器件的切换损耗。
    - 减少的开关和传导损耗: 门极电荷 \( Qg \) 和 \( Q{gd} \) 较低,有助于提高效率。
    - 雪崩能量额定值: 具备132 mJ的雪崩能量额定值,适合高能应用场合。
    - 宽工作温度范围: -55°C至+150°C,适用性强。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源: 适合高频开关电源,降低总损耗并提高效率。
    - 开关模式电源 (SMPS): 用于各种电源转换器,提供快速开关速度和低损耗。
    - 功率因数校正 (PFC): 通过低导通电阻和低门极电荷降低损耗,提高整体系统效率。
    - 照明: 适用于HID和荧光灯等照明系统,提供可靠的反向恢复性能。

    5. 兼容性和支持


    LSD11N65E与多种电源转换器和控制器兼容,具有良好的接口。VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持,确保客户在使用过程中能够获得技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 为什么漏电流 \( ID \) 在高温环境下下降?
    - 解答: 这是因为在高温条件下,半导体材料的载流子迁移率降低,导致漏电流减小。使用散热器可以改善这一情况。
    - 问题: 如何处理雪崩现象?
    - 解答: 选择合适的散热设计和驱动电路,以避免长时间处于高应力状态。同时,可以通过控制驱动信号来限制瞬间电流,从而避免雪崩现象。

    7. 总结和推荐


    LSD11N65E是一款高性能的N沟道650V超级结功率MOSFET,具有出色的导通特性和低损耗特性。它的广泛应用在服务器、电信、照明和工业设备领域。对于需要高效、可靠和紧凑解决方案的应用,LSD11N65E是一个值得推荐的选择。无论是针对电源转换还是其他电力电子应用,这款器件都能提供卓越的性能表现。

LSD11N65E-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 11A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 420mΩ@ 10V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

LSD11N65E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

LSD11N65E-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 LSD11N65E-VB LSD11N65E-VB数据手册

LSD11N65E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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