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FQP15N60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
供应商型号: FQP15N60-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQP15N60-VB

FQP15N60-VB概述

    FQP15N60-VB N-Channel 650 V Super Junction MOSFET

    产品简介


    FQP15N60-VB 是一款高电压N沟道超级结MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高压应用。该产品具有出色的低导通电阻(RDS(on))和低门极电荷(Qg),能够在多种环境下提供高效、可靠的电力转换解决方案。主要应用包括电信电源、照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)、消费电子及计算设备(如ATX电源)、工业应用(如焊接和电池充电器)、可再生能源系统(如太阳能逆变器)以及开关模式电源(SMPS)。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):最大为650V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):典型值为0.19Ω,栅源电压 (VGS) 为10V时
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值为106nC
    - 栅源电荷 (Qgs):14nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):33nC
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):60A
    - 最大功率耗散 (PD):208W
    - 最大结温 (TJ):-55°C 到 +150°C
    - 最大开关损耗 (td(on), tr, td(off), tf):分别为22ns, 34ns, 68ns, 42ns

    产品特点和优势


    FQP15N60-VB 的独特之处在于其卓越的开关性能和低导通电阻。该器件具有较低的反向恢复时间和关断损耗(Qrr 和 IRRM),减少了热损失,提高了效率。此外,其低输入电容(Ciss)和低栅极电荷(Qg)使得其在高频应用中表现出色,同时具备较高的雪崩能量等级(EAS)。这些特点使其在各种高压电力转换应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:该器件可用于电信基础设施的电源转换,例如在服务器电源模块中作为降压转换器的开关管,减少损耗并提高效率。
    - 照明系统:在高强度放电灯和荧光灯照明系统的驱动电路中,该器件可以有效地控制电流和电压,减少能量损失。
    - 太阳能逆变器:在太阳能光伏逆变器中,该器件可以用作主开关,提供高效的能量转换和逆变过程。
    - 焊接和电池充电器:在焊接机和电池充电器的电源设计中,该器件可以提供可靠和高效的电力传输。
    使用建议:
    - 在设计中注意散热管理,确保MOSFET在高温下也能保持稳定的性能。
    - 考虑使用合适的栅极驱动电路以降低栅极电荷和开关损耗。
    - 在关键应用中进行充分的测试和验证,确保满足预期的工作条件。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FQP15N60-VB 可与多种电源设计和控制系统兼容,能够轻松集成到现有的硬件平台中。
    - 支持和服务:台湾VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线资源、电话咨询和现场技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET在高频应用中温度过高。
    - 解决方案:确保良好的散热设计,使用散热片或冷却风扇。检查是否需要外部电路来控制散热。
    - 问题:MOSFET在启动时出现异常电流波动。
    - 解决方案:确保正确的栅极驱动信号,并检查电源电压是否稳定。可以考虑增加外部缓冲电路以改善驱动性能。

    总结和推荐


    FQP15N60-VB是一款高性能的高压N沟道MOSFET,特别适合于高功率、高频应用。其低导通电阻和低开关损耗特性,使其在多种高压电力转换和控制应用中表现优异。推荐在需要高效、高可靠性电力转换的应用中使用该器件,特别是在要求严格且对效率有高要求的场合。
    如果您有任何疑问或需要进一步的支持,请随时联系我们的服务热线:400-655-8788,或者访问我们的官方网站 [www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)。

FQP15N60-VB参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 20A
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FQP15N60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQP15N60-VB数据手册

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FQP15N60-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
1000+ ¥ 9.5015
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