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75337S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,75A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263 由于其较高的漏极电流和较低的导通电阻,适合用于开关电源、逆变器和电源管理模块,以提供稳定可靠的电力输出。
供应商型号: 75337S-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 75337S-VB

75337S-VB概述

    N-Channel 60V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    本技术手册详细介绍了一款高性能的N-Channel 60V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为75337S-VB。这款MOSFET采用了先进的TrenchFET®工艺,特别适用于高温环境下的电力转换应用。其主要功能是在电力电子系统中提供高效的开关控制能力,广泛应用于工业自动化、汽车电子、电源管理等领域。

    技术参数


    以下是该MOSFET的主要技术规格和性能参数:
    - 绝对最大额定值
    - 栅源电压(VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流(TJ = 175 °C): 75 A
    - 脉冲漏极电流(t ≤ 10 s): 200 A
    - 最高功耗(TA = 25 °C): 136 W
    - 最大结温: 175 °C
    - 存储温度范围: -55 °C 到 175 °C
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS): 60 V
    - 栅阈值电压(VGS(th)): 1 V 至 3 V
    - 零栅源电压漏极电流(IDSS): 1 μA
    - 开启状态漏极电流(ID(on)): 60 A
    - 开启状态漏源电阻(RDS(on))
    - VGS = 10 V, ID = 20 A: 11 mΩ
    - VGS = 10 V, ID = 20 A, TJ = 125 °C: 16 mΩ
    - VGS = 10 V, ID = 20 A, TJ = 175 °C: 20 mΩ
    - VGS = 4.5 V, ID = 15 A: 12 mΩ
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss): 4300 pF
    - 输出电容(Coss): 470 pF
    - 反向转移电容(Crss): 225 pF
    - 总栅电荷(Qg): 47 nC
    - 开启延迟时间(td(on)): 10 ns 至 20 ns
    - 上升时间(tr): 15 ns 至 25 ns
    - 关闭延迟时间(td(off)): 35 ns 至 50 ns
    - 下降时间(tf): 20 ns 至 30 ns

    产品特点和优势


    1. 高耐温性: 具备175 °C的结温,可在极端环境下稳定运行。
    2. 高效能: 开启状态的漏源电阻低,仅为11 mΩ(VGS = 10 V, ID = 20 A)。
    3. 快速开关: 动态参数如开启延迟时间和上升时间均较短,适合高速切换的应用。
    4. 兼容性强: 支持多种电气特性,满足不同电路设计需求。
    5. 可靠性高: 通过多项严格测试,确保长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET在多种场合下表现出色,特别是在需要承受高电压和高电流的应用环境中。以下是一些典型应用场景及使用建议:
    1. 工业自动化: 可用于驱动电机和执行机构,其低RDS(on)保证了高效率。
    2. 汽车电子: 在车载电源管理和控制系统中,其高耐温性使其能够在引擎舱内稳定工作。
    3. 电源管理: 适用于开关电源和直流-直流转换器,其快速开关特性和低RDS(on)有助于提高转换效率。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需注意散热设计,以避免因过热而导致的性能下降。
    - 在高频应用中,选择合适的栅极电阻以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    该MOSFET采用D2PAK封装(TO-263),适合表面安装。它与大多数标准PCB兼容,易于集成到现有系统中。厂商提供了详尽的技术支持文档和热线服务(400-655-8788),帮助客户解决应用过程中的问题。

    常见问题与解决方案


    根据手册中的信息,列出了几个常见问题及其解决方法:
    1. 问: 漏源电压(VDS)过高,影响正常工作。
    - 答: 检查电路连接是否正确,确认负载不会超出器件的最大额定值。必要时,考虑添加额外的保护电路。
    2. 问: 在高频应用中,出现明显的损耗。
    - 答: 调整栅极电阻值,以优化开关速度和降低损耗。同时,确保良好的散热设计,避免因过热导致的性能下降。
    3. 问: 长期使用后发现器件老化。
    - 答: 定期进行设备维护和检测,确保电路各部分工作正常。如果发现问题,请联系技术支持。

    总结和推荐


    综上所述,75337S-VB MOSFET以其出色的高温耐受性、高效的开关性能和可靠的稳定性,在电力电子领域具有显著的优势。其广泛的应用范围和强大的技术支持使得它成为市场上极具竞争力的产品之一。对于需要在高温和高功率环境下工作的应用,我们强烈推荐使用此款MOSFET。

75337S-VB参数

参数
配置 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 75A
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@10V,12mΩ@4.5V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

75337S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

75337S-VB数据手册

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75337S-VB封装设计

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