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KHB9D0N50P1_07-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: KHB9D0N50P1_07-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KHB9D0N50P1_07-VB

KHB9D0N50P1_07-VB概述

    KHB9D0N50P1 Power MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    KHB9D0N50P1 是一款 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高功率应用。该产品具备低门极电荷(Qg)特性,可以简化驱动要求。它具有增强的门极、雪崩和动态 dV/dt 耐受性,确保在恶劣环境下的可靠性。此外,KHB9D0N50P1 已经过全面表征的电容和雪崩电压测试,并符合欧盟的 RoHS 指令。

    2. 技术参数


    - 最大门极-源极电压 (VGS): ±20 V
    - 最大漏极-源极电压 (VDS): 500 V
    - 最大连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C: 13 A
    - TC = 100°C: 8.1 A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 50 A
    - 热阻(最大结到壳 RthJC): 0.50°C/W
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 560 mJ
    - 最大重复雪崩能量 (EAR): 25 mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 250 W(TC = 25°C)
    - 结温及存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 到 +150°C
    - 典型总栅极电荷 (Qg): 81 nC
    - 典型门极-源极电荷 (Qgs): 20 nC
    - 典型门极-漏极电荷 (Qgd): 36 nC
    - 输入电容 (Ciss): 最大值为 1910 pF
    - 输出电容 (Coss): 最大值为 290 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 最大值为 11 pF

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷:简化驱动要求,减少驱动电路的复杂性。
    - 增强的耐用性:门极、雪崩和动态 dV/dt 都具有较高的耐受性,提高了产品的可靠性和使用寿命。
    - 全面表征:全面测试的电容和雪崩电压特性确保了产品的一致性和可靠性。
    - 符合 RoHS:满足环保要求,适用于欧洲和其他地区市场。

    4. 应用案例和使用建议


    KHB9D0N50P1 功率 MOSFET 可广泛应用于电力电子设备中,如开关电源、电机驱动、逆变器等。以下是一些实际使用场景和建议:
    - 开关电源:KHB9D0N50P1 的高电压和电流处理能力使其适用于各种开关电源的设计。
    - 电机驱动:利用其高可靠性和较低的门极电荷,KHB9D0N50P1 可以实现高效的电机驱动控制。
    - 逆变器:在逆变器系统中,KHB9D0N50P1 的雪崩能力和 dV/dt 耐受性可以提供更高的可靠性和性能。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计,避免因温度过高导致的性能下降。
    - 使用低杂散电感的电路布局,以减少电磁干扰。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:KHB9D0N50P1 符合 TO-220AB 封装标准,易于与其他电子元件集成。
    - 支持和维护:制造商提供了详尽的技术支持,包括使用指南、安装说明和常见问题解答。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何降低功耗?
    - 解决方案:优化电路设计,合理选择驱动电阻,减少开关损耗。

    - 问题2:如何提高散热效果?
    - 解决方案:采用高效散热器,保持良好的热流通路径,并使用导热膏提高散热效率。
    - 问题3:如何防止反向恢复冲击?
    - 解决方案:选用低反向恢复电荷的二极管或并联肖特基二极管以减轻反向恢复冲击。

    7. 总结和推荐


    KHB9D0N50P1 N 沟道功率 MOSFET 结合了低门极电荷、增强的耐用性和全面的表征特性,使其成为高功率应用的理想选择。其广泛的适用范围、优秀的电气特性和简便的驱动要求使其在市场上具有强大的竞争力。因此,我们强烈推荐 KHB9D0N50P1 功率 MOSFET 用于各种电力电子应用。

KHB9D0N50P1_07-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
Id-连续漏极电流 13A
Vds-漏源极击穿电压 500V
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KHB9D0N50P1_07-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KHB9D0N50P1_07-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KHB9D0N50P1_07-VB KHB9D0N50P1_07-VB数据手册

KHB9D0N50P1_07-VB封装设计

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