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K3109-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,200V,10A,RDS(ON),270mΩ@10V,310mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO220适用于各种低功耗和中功率应用。其适中的漏极-源极电压、低阈值电压和适度的导通电阻使其在多种场合下都具备良好的性能。
供应商型号: K3109-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3109-VB

K3109-VB概述

    K3109-VB N-Channel 200 V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K3109-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其额定电压为 200 V,最大电流可达 40 A。这款 MOSFET 适用于多种电力转换和开关电源应用,尤其适合于高压环境下作为主侧开关。它具有高温度耐受能力,能够在高达 175°C 的结温条件下正常运行。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大结温:175°C
    - PWM 优化设计
    - 全部经过 Rg 测试,符合 RoHS 规定
    - 电气参数
    - 击穿电压 (VDS):200 V
    - 漏极-源极导通电阻 (RDS(on)):0.270 Ω (在 VGS = 10 V 时)
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)):2 V 至 4 V
    - 门体泄漏电流 (IGSS):±100 nA
    - 源极连续电流 (IS):12 A
    - 热参数
    - 结到环境热阻 (RthJA):15°C/W(典型值)
    - 结到外壳(漏极)热阻 (RthJC):0.85°C/W(典型值)
    - 绝对最大额定值
    - 漏极-源极电压 (VDS):200 V
    - 栅极-源极电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏极电流 (TC):125°C 时 12 A

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:结温最高可达 175°C,确保在极端温度条件下的稳定运行。
    2. PWM 优化:优化的 PWM 设计使得该 MOSFET 在脉冲宽度调制应用中表现优异。
    3. 全 Rg 测试:确保所有批次的产品都经过严格的质量测试,符合严格的工业标准。
    4. 环保材料:符合 RoHS 和无卤素标准,适用于对环保要求较高的场合。

    应用案例和使用建议


    K3109-VB 主要应用于高压开关电源和逆变器等电力转换设备。为了充分利用其高可靠性,建议在设计电路时合理布置散热片以降低热阻,特别是在高温环境中使用时更应如此。
    - 优化方案:
    - 使用高效的散热器来帮助降低热阻,特别是当工作环境温度较高时。
    - 避免长时间过载运行,遵循其绝对最大额定值的规定。

    兼容性和支持


    K3109-VB 采用 TO-220AB 封装,易于焊接和安装。该产品在设计上考虑到了与市面上主流电源设备的兼容性,可以轻松集成到现有的电力转换系统中。VBsemi 提供全面的技术支持和客户服务,确保客户能够顺利地使用和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何避免 MOSFET 烧毁?
    - A: 确保不要超过其绝对最大额定值,特别是不要超过其最大漏极-源极电压 (VDS) 和连续漏极电流 (ID)。
    - Q: 如何处理过热问题?
    - A: 使用高效的散热装置,如散热片和风扇,确保良好的空气流通和散热效果。
    - Q: 如何选择合适的栅极电阻 (Rg)?
    - A: 根据具体应用需求选择合适的栅极电阻,通常可以通过参考数据手册中的推荐值来进行选择。

    总结和推荐


    K3109-VB N-Channel 200 V MOSFET 具有出色的性能和高可靠性,特别适合高压环境下的电力转换应用。其优秀的热管理能力和高精度的设计使其成为市场上非常有竞争力的产品之一。如果您正在寻找一款能在苛刻环境下工作的高性能 MOSFET,K3109-VB 是一个值得考虑的选择。
    总的来说,我们强烈推荐 K3109-VB MOSFET 给那些需要高可靠性和高效率的电力转换应用场合。

K3109-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.9V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Rds(On)-漏源导通电阻 270mΩ@10V,310mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 10A
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3109-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3109-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3109-VB K3109-VB数据手册

K3109-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 2.2462
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