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AUIRFR1018ETRR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,110A,RDS(ON),4.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.8Vth(V) 封装:TO252\n适用于需要中等功率、中等电流的电子系统,如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。
供应商型号: AUIRFR1018ETRR-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) AUIRFR1018ETRR-VB

AUIRFR1018ETRR-VB概述


    产品简介


    N-Channel 60 V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常见的半导体器件,广泛应用于电力转换系统、电动车辆控制系统、开关电源等领域。这款MOSFET采用了先进的TrenchFET®技术,旨在提供低导通电阻和高效率。N-Channel MOSFET的主要特点是单向电流流通能力较强,且具有良好的温度稳定性,使其成为高性能应用的理想选择。

    技术参数


    以下是该N-Channel MOSFET的主要技术规格:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | 60 | - | - | V |
    | 栅极-源极阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | 4.0 | - | V |
    | 漏极电流(连续) | ID | - | 97 | - | A |
    | 漏极-源极导通电阻 | RDS(on) | - | 0.0050 | - | Ω |
    | 零栅极电压漏极电流 | IDSS | - | - | 1 | mA |
    | 输入电容 | CISS | - | 4844 | 6060 | pF |
    | 输出电容 | COSS | - | 441 | 555 | pF |
    | 反向传输电容 | CRSS | - | 200 | 250 | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 82 | 125 | nC |

    产品特点和优势


    该款N-Channel MOSFET采用了TrenchFET®技术,确保了卓越的开关性能和低导通电阻。具体特点如下:
    - 低导通电阻:在典型工作条件下,导通电阻为0.0050 Ω,使得能耗大大降低。
    - 高可靠性:通过100% Rg和UIS测试验证,保证了产品的稳定性和可靠性。
    - 高功率处理能力:最大脉冲漏极电流可达290 A,最大耗散功率为136 W。
    - 宽工作温度范围:可在-55°C到+175°C的极端环境下正常工作。
    这些特点使该MOSFET在高性能电力转换和控制应用中表现优异,特别是在电动汽车、工业自动化等领域。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:用于DC-DC转换器和AC-DC转换器中,提高电源效率。
    - 电机驱动:作为电机控制电路中的开关元件,实现精准控制。
    - 逆变器:用于光伏逆变器等电力变换设备,提升能量转换效率。
    使用建议
    - 散热设计:由于该MOSFET具有较低的热阻,合理设计散热片和散热路径是必要的,以避免过热。
    - 驱动电路:使用合适的驱动电路可以有效减少开关损耗,提高系统的整体效率。
    - 布局优化:在PCB设计时,注意引脚的布局,尽量缩短连接线路,减少寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    该MOSFET采用TO-252封装,与多数标准PCB布局兼容。VBsemi公司提供了详尽的技术文档和客户支持服务,包括在线技术支持和电话咨询服务,确保用户能够顺利进行产品选型和应用开发。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过高的漏极电流导致器件损坏
    - 解决方案:确保在安全工作区域内操作,并合理设计保护电路,如使用限流电阻或过流保护电路。
    2. 问题:导通电阻异常增大
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,确认栅极驱动信号强度足够,并且注意环境温度对导通电阻的影响。
    3. 问题:温度过高导致热击穿
    - 解决方案:设计良好的散热系统,确保散热片有足够的表面积,并合理安排元件布局以利于散热。

    总结和推荐


    总体来看,这款N-Channel 60 V MOSFET凭借其卓越的性能和广泛应用前景,在电力电子领域具备强大的市场竞争力。其低导通电阻和高可靠性使其成为众多高性能电力转换和控制应用的理想选择。对于需要高效能、高可靠性的项目,我们强烈推荐使用此款MOSFET。

AUIRFR1018ETRR-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.8V
Id-连续漏极电流 110A
通道数量 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

AUIRFR1018ETRR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

AUIRFR1018ETRR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 AUIRFR1018ETRR-VB AUIRFR1018ETRR-VB数据手册

AUIRFR1018ETRR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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