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IXTP260N055T2-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,210A,RDS(ON),3mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要中高功率和电流的应用场合,能够在一定程度上平衡功率和性能。其适中尺寸的封装和中高功率特性使其适用于需要高密度布局和中高功率输出的电子设备和系统。
供应商型号: IXTP260N055T2-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXTP260N055T2-VB

IXTP260N055T2-VB概述


    产品简介


    IXTP260N055T2-VB MOSFET
    IXTP260N055T2-VB是一款由VBsemi生产的N沟道60V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品具有卤素无害、低热阻等特点,适用于广泛的电子应用领域,如电源管理、电机控制、LED驱动等。

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 60V
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10V 时: 0.003Ω
    - VGS = 4.5V 时: 0.009Ω
    - 连续漏极电流(ID): 210A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 480A
    - 单脉冲雪崩电流(IAS): 75A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 281mJ
    - 最大功耗(PD): 375W (Tj = 125°C)
    - 结温(TJ)及存储温度范围(Tstg): -55°C 至 +175°C
    - 热阻(Junction-to-Ambient): 40°C/W (PCB安装)
    - 热阻(Junction-to-Case (Drain)): 0.4°C/W

    产品特点和优势


    1. 卤素无害:符合IEC 61249-2-21标准。
    2. TrenchFET®技术:提供低导通电阻和高耐压。
    3. 低热阻封装:有助于提高散热效率。
    4. 100% Rg和UIS测试:确保产品的可靠性和一致性。
    5. 符合RoHS指令:符合欧盟环保标准,确保产品对环境友好。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源转换:IXTP260N055T2-VB常用于高频开关电源的设计,如DC-DC转换器和AC-DC转换器。
    - 电机控制:在电机控制电路中作为开关元件使用,实现高效驱动。
    - LED驱动:在LED驱动电路中用于电流调节,确保亮度稳定。
    使用建议:
    - 散热设计:考虑到较高的连续漏极电流,应采取有效的散热措施,如使用较大尺寸的散热片。
    - 驱动电路:选择合适的驱动电阻以优化开关速度,减少损耗。
    - 过载保护:确保电路具备适当的过载保护机制,避免长期过载导致损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IXTP260N055T2-VB采用标准TO-220AB封装,易于与其他电子元件兼容。
    - 技术支持:VBsemi提供详尽的技术文档和快速响应的客户服务,确保用户能够顺利集成并使用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 漏电流过大 | 检查电路是否有短路现象,必要时更换元件。 |
    | 开关频率过高 | 调整驱动电阻值,降低开关频率以减少损耗。 |
    | 温度过高 | 改善散热设计,增加散热片面积或使用风扇辅助散热。 |

    总结和推荐


    IXTP260N055T2-VB凭借其低导通电阻、高耐压、良好的热管理能力和出色的可靠性,成为一款极具市场竞争力的产品。它适用于多种高功率应用场合,如电源管理和电机控制等。VBsemi提供的全方位技术支持和服务进一步增强了该产品的应用价值。总体而言,强烈推荐此款产品用于需要高性能MOSFET的应用场合。

IXTP260N055T2-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.9V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 210A
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,9mΩ@4.5V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXTP260N055T2-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXTP260N055T2-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXTP260N055T2-VB IXTP260N055T2-VB数据手册

IXTP260N055T2-VB封装设计

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500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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