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UT4414G-S08-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: UT4414G-S08-R-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT4414G-S08-R-VB

UT4414G-S08-R-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V MOSFET
    本文介绍的是一种N沟道30V耐压的MOSFET,属于功率场效应晶体管(Power MOSFET)的一种。这款MOSFET主要用于高侧同步整流电路中,适合笔记本电脑CPU核心供电等应用场景。产品采用TrenchFET技术,确保低导通电阻和高可靠性,从而提升整体系统的效率和稳定性。

    技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 耐压(VDS) | 30 V |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 0.008 Ω @ VGS = 10 V,0.011 Ω @ VGS = 4.5 V |
    | 持续漏极电流(ID) | 13 A @ TC = 25 °C,7 A @ TA = 70 °C |
    | 脉冲漏极电流(IDM) | 45 A @ t ≤ 10 s |
    | 门极-源极阈值电压(VGS(th)) | 1.0 ~ 3.0 V |
    | 总栅极电荷(Qg) | 6.8 ~ 23 nC @ VDS = 15 V,ID = 10 A |
    | 逆向恢复时间(trr) | 15 ~ 30 ns |
    | 最大功耗(PD) | 4.1 W @ TC = 25 °C,1.3 W @ TA = 70 °C |
    | 工作温度范围(TJ, Tstg) | -55 ~ 150 °C |

    产品特点和优势


    1. Halogen-free: 无卤素设计,符合RoHS标准,环保且安全。
    2. TrenchFET®技术: 具备低导通电阻(RDS(on)),提升效率并降低热耗散。
    3. 优化的高侧同步整流操作: 适用于高效率电源管理电路。
    4. 100% Rg和UIS测试: 确保每片产品均通过严格的质量测试。
    5. 宽广的工作温度范围: -55°C到150°C,适应多种恶劣环境条件。

    应用案例和使用建议


    该款MOSFET被广泛应用于笔记本电脑CPU核心供电的高侧开关应用中。在实际应用中,应注意以下几个方面:
    1. 散热管理: 由于MOSFET的高密度集成和高电流处理能力,需要特别注意良好的散热设计以避免过热问题。
    2. 匹配驱动信号: 在进行驱动设计时,要保证驱动电压能够覆盖其门极-源极阈值电压范围(1.0 ~ 3.0 V),以确保可靠开通。
    3. 考虑保护措施: 使用保护二极管来防止过压或静电损伤。

    兼容性和支持


    该产品与SO-8封装的其他电子元器件兼容性良好。生产厂商VBsemi提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决使用过程中可能遇到的问题。此外,还提供了多种认证标志,如RoHS和无卤素标识,以确保产品的环保性和安全性。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 设备在高温环境下运行时性能下降
    - A: 确保使用适当的散热设计,例如增加散热片或使用散热风扇,确保设备温度保持在安全范围内。

    2. Q: MOSFET开启延迟时间过长
    - A: 检查门极驱动电阻(Rg)设置,适当减小Rg以提高开关速度。

    总结和推荐


    综合来看,这款N-Channel 30-V MOSFET在高效能电源管理和高侧同步整流应用中表现出色。其优秀的耐压能力和低导通电阻使它在众多同类产品中脱颖而出。如果您的项目要求严格的工作环境和高效的能源管理,强烈推荐使用此产品。同时,VBsemi公司提供的详尽技术支持也为其加分不少。

UT4414G-S08-R-VB参数

参数
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@4.5V,17mΩ@2.5V
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 15V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 11A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
最大功率耗散 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT4414G-S08-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT4414G-S08-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT4414G-S08-R-VB UT4414G-S08-R-VB数据手册

UT4414G-S08-R-VB封装设计

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100+ ¥ 1.0793
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