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TPC6110-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: TPC6110-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TPC6110-VB

TPC6110-VB概述

    # TPC6110 P-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    基本描述
    TPC6110 是一款高性能的 P 沟道增强型 30V(漏极-源极)MOSFET,采用 VBsemi 公司先进的 TrenchFET® 技术制造。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高电流承载能力以及卓越的开关性能,适用于各种负载开关应用。
    主要功能
    - Halogen-Free 认证:符合 IEC 61249-2-21 标准。
    - 低导通电阻:提供高效能和低功耗操作。
    - 快速开关特性:适用于高频切换电路。

    应用领域
    - 负载开关
    - 高效电源管理
    - 工业控制和汽车电子设备

    2. 技术参数


    以下为 TPC6110 的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | -30 | - | V |
    | 导通漏源电阻 | RDS(on) | - | 0.049 | 0.054 | Ω |
    | 持续漏极电流 | ID | - | -4.8 | -4.1 | A |
    | 最大功率耗散 | PD | - | 3.0 | 2.0 | W |
    | 最高工作温度 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |
    | 热阻抗(结到环境) | RthJA | - | 55 | 62.5 | °C/W |
    其他动态参数(如输入电容、输出电容、总栅极电荷)也显示了其高效的开关性能。

    3. 产品特点和优势


    独特功能
    - TrenchFET 技术:提高电流承载能力的同时降低导通电阻。
    - Halogen-Free 材料:环保合规,适合绿色设计。
    - 高可靠性:支持高热应力和长期运行稳定性。
    市场优势
    - 低功耗:优异的导通电阻和开关速度显著减少功耗。
    - 快速响应:适用于高速开关需求的工业和汽车应用。
    - 广泛适用性:兼容多种封装和工作条件。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景
    TPC6110 适合用于负载开关、电池保护电路、电源管理模块等。例如,在电源适配器中,它能够有效减少功耗并提升效率。
    使用建议
    - 散热设计:确保良好的 PCB 散热路径以避免过热。
    - 信号完整性:合理设计电路板布局,减少寄生效应。
    - 测试验证:在实际应用前进行完整的功能和耐久性测试。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    TPC6110 支持主流 PCB 尺寸,可轻松集成到现有的系统中,且与同类器件相比具备良好的互换性。
    厂商支持
    VBsemi 提供全面的技术文档和专业客服支持,帮助客户解决产品使用中的任何问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 添加散热片或优化 PCB 布局 |
    | 开关时间异常 | 调整栅极驱动电阻 |
    | 频繁失效 | 检查过流保护电路 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    TPC6110 在技术参数、应用灵活性和可靠性方面表现出色,是一款高性价比的产品,尤其适用于需要高效能和高可靠性的工业和消费类电子领域。
    推荐使用
    基于其卓越的性能和广泛的适用性,强烈推荐使用 TPC6110 作为负载开关和电源管理的理想选择。同时,建议根据具体应用场景进一步优化设计细节。
    服务热线:400-655-8788
    官网链接:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

    此文档基于 TPC6110 的技术手册整理而成,详细介绍了其特性、应用场景及优化建议。如有更多疑问,请联系 VBsemi 官方技术支持团队。

TPC6110-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 49mΩ@10V,54mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 4.8A
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

TPC6110-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TPC6110-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 TPC6110-VB TPC6110-VB数据手册

TPC6110-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.7779
100+ ¥ 0.7203
500+ ¥ 0.6915
3000+ ¥ 0.6627
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