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WFP70N06-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n60V,60A,RDS(ON),11mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO220\n一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: WFP70N06-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFP70N06-VB

WFP70N06-VB概述

    WFP70N06 N-Channel 60-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    WFP70N06 是一种由 VBsemi 生产的 N-Channel 60-V (D-S) MOSFET。它采用先进的 TrenchFET® 技术,适用于各种高功率和高温度环境的应用,如电源管理、电机驱动和其他电力转换系统。该产品具有极高的可靠性,能够在高达 175°C 的结温下工作,且具备出色的电气特性和低导通电阻。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏电流(TJ = 175°C):60A (TC = 25°C)
    - 脉冲漏电流(IDM):200A
    - 最大功耗(TC = 25°C):136W
    - 最大热阻抗(RthJA):15-18°C/W (暂态)
    - 最大热阻抗(RthJC):0.85-1.1°C/W
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压(VDS):60V
    - 栅阈电压(VGS(th)):1-3V
    - 栅体泄漏电流(IGSS):±100nA
    - 开启状态漏电流(ID(on)):60A
    - 动态特性
    - 输入电容(Ciss):4200pF
    - 输出电容(Coss):570pF
    - 反向传输电容(Crss):325pF
    - 总栅电荷(Qg):47nC

    产品特点和优势


    WFP70N06 MOSFET 的关键特点包括:
    - 高可靠性:可以在 175°C 的极端环境下正常工作。
    - 低导通电阻:在不同条件下保持较低的导通电阻(RDS(on)),保证了高效的工作效率。
    - 快速开关特性:拥有较快的开关速度,可以降低系统的功耗和发热。
    这些特点使其成为许多高功率和高可靠性应用的理想选择。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:WFP70N06 可广泛应用于电动汽车充电器、工业电机控制、电源转换器等领域。
    - 使用建议:
    - 在使用过程中要注意不要超过额定的栅源电压(VGS),以避免损坏。
    - 要确保良好的散热设计,特别是在高功率应用中,以免过热影响性能。
    - 使用适当的栅极电阻,以实现最佳的开关时间和减少开关损耗。

    兼容性和支持


    WFP70N06 采用 TO-220AB 封装,易于集成到现有的设计中。VBsemi 提供了全面的技术支持,包括详尽的数据手册和技术咨询,帮助客户进行选型和设计。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:在高温环境中,器件的导通电阻增加。
    - 解决方案:建议使用更好的散热设计,例如添加散热片或使用风扇强制散热。
    - 问题 2:栅源电压超限。
    - 解决方案:确保外部电路的设计能够严格限制栅源电压不超过 ±20V。

    总结和推荐


    WFP70N06 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel MOSFET。它在高温环境下的出色表现、低导通电阻以及快速开关特性使其非常适合于高功率应用。尽管其价格可能稍高,但其卓越的性能和稳定性足以弥补这一不足。因此,强烈推荐使用 WFP70N06 在需要高性能和高可靠性的应用中。
    如果您有任何进一步的问题或需要详细的技术资料,请联系 VBsemi 的客户服务团队。服务热线:400-655-8788。

WFP70N06-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@10V,13mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 60A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

WFP70N06-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFP70N06-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WFP70N06-VB WFP70N06-VB数据手册

WFP70N06-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.5919
1000+ ¥ 2.4839
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型号 价格(含增值税)
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