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IRFS832-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: IRFS832-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFS832-VB

IRFS832-VB概述

    IRFS832-VB N-Channel 650V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRFS832-VB 是一款高性能的N沟道650V功率MOSFET,具有低门极电荷、高开关频率能力、耐高dv/dt冲击和出色的雪崩特性。这款产品适用于各种电力转换应用,如工业控制、电机驱动、太阳能逆变器等。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - 漏源电压 (VDS): 650V
    - 最大连续漏电流 (ID): 3.8A(TC=100°C)
    - 最大门极电压 (VGS): ±30V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2.0~4.0V
    - 击穿电压 (VDS): 650V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 2.5Ω(VGS=10V)

    - 动态特性
    - 栅极电荷 (Qg): 48nC
    - 有效输出电容 (Cosseff): 84pF
    - 转换电导 (gfs): 3.9S
    - 开启延迟时间 (td(on)): 1ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 34ns

    - 热特性
    - 热阻 (RthJA): 65°C/W
    - 最大功率耗散 (PD): 30W(TC=25°C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 325mJ

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷 (Low Gate Charge):低门极电荷有助于简化驱动需求,减少能耗。
    - 高抗压性和高可靠性:改进的栅极、雪崩和动态dv/dt鲁棒性使其能在恶劣环境中稳定工作。
    - 全规格测试:充分测试的电容和雪崩电压及电流参数,确保长期可靠运行。
    - 符合RoHS标准:完全符合欧盟关于有害物质限用的指令(2002/95/EC)。

    4. 应用案例和使用建议


    - 工业控制:在高频逆变器和电源转换器中表现出色。
    - 电机驱动:提供高电流驱动能力和快速开关特性,适合驱动各种电动机。
    - 太阳能逆变器:由于其高效率和低损耗特性,在太阳能系统中得到广泛应用。
    使用建议:
    - 优化散热设计:由于其较高的功率耗散,需要良好的散热设计以保证长时间稳定运行。
    - 正确的驱动电路:根据推荐的门极电阻值(RG)选择合适的驱动器,确保开关性能最佳。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与标准TO-220封装兼容,适用于大多数电力电子产品设计。
    - 支持和服务:VBsemi 提供全面的技术支持和维护服务,确保客户能够高效使用产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:高温下性能下降。
    - 解决方案:通过优化散热设计或增加外部冷却措施来缓解。

    - 问题:启动时出现异常噪音。
    - 解决方案:检查并调整门极驱动电阻,确保开关波形无失真。

    7. 总结和推荐


    IRFS832-VB N-Channel 650V MOSFET 在多种应用中展示了卓越的性能和可靠性,尤其适合于需要高耐压和高可靠性的场合。我们强烈推荐此产品给寻求高性能电力电子解决方案的设计工程师们。
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:www.VBsemi.com

IRFS832-VB参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 4A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFS832-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFS832-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFS832-VB IRFS832-VB数据手册

IRFS832-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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