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09N70I-A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: 09N70I-A-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 09N70I-A-VB

09N70I-A-VB概述


    产品简介


    09N70I-A-VB MOSFET
    09N70I-A-VB是一款由VBsemi生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件具有出色的低导通电阻和低栅极电荷特性,适用于多种高效率电源转换应用。09N70I-A-VB主要用于服务器和电信电源系统、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)以及照明和工业控制等领域。由于其卓越的电气特性和高可靠性,它在各种高性能应用中得到了广泛应用。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 | 650 | - | - | V |
    | 阈值电压(N沟道) | 2 | - | 4 | V |
    | 导通电阻(25℃) | - | 0.82 | - | Ω |
    | 总栅极电荷 | - | 55 | - | nC |
    | 输入电容 | - | - | 40 | pF |
    | 输出电容 | - | - | 55 | pF |
    | 反向传输电容 | - | - | 40 | pF |
    | 额定单脉冲雪崩能量 | - | - | 82 | mJ |
    | 工作温度范围 | -55 | - | +150 | ℃ |
    | 最大连续漏极电流 | - | - | 35 | A |

    产品特点和优势


    - 低损耗特性:低导通电阻(RDS(on))和低输入电容(Ciss)使得09N70I-A-VB能够有效降低功耗,从而提高能效。
    - 快速开关能力:超低的栅极电荷(Qg)特性使得09N70I-A-VB具备优异的开关性能,适合高频开关电路的应用。
    - 高可靠性和稳定性:能够在极端条件下保持稳定的工作性能,适用于各种严苛环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源系统:09N70I-A-VB因其高效的热管理和低功耗特性,在服务器和电信电源系统中表现出色。
    - 开关模式电源供应(SMPS):其快速的开关性能使其成为理想的电源管理组件,可广泛应用于SMPS系统。
    - 高亮度放电(HID)和荧光灯照明:由于其快速的开关特性和高可靠性,09N70I-A-VB可用于驱动这些灯具。
    使用建议
    - 在选择驱动电路时,应确保驱动电路能够提供足够的栅极驱动电流以满足09N70I-A-VB的快速开关要求。
    - 由于09N70I-A-VB的漏源击穿电压较高(650V),在设计电路时应充分考虑过压保护措施,以防止器件损坏。
    - 确保良好的散热设计,以维持其在高功率应用中的性能和寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:09N70I-A-VB采用标准TO-220封装,易于与其他元器件集成,兼容各种主板和控制板。
    - 支持和服务:VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括详细的安装指南和技术支持热线,确保用户能够轻松地获取所需的支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现过度发热 | 确保良好的散热设计并检查电路中的过压保护措施。 |
    | 栅极驱动电流不足 | 选择合适的驱动电路,确保足够的栅极驱动电流。 |
    | 电路中出现异常噪音 | 检查电路板的布局设计,确保低寄生电感和良好的接地。 |

    总结和推荐



    总结


    09N70I-A-VB是一款性能优越的N沟道功率MOSFET,具有低导通电阻、低栅极电荷和快速开关特性,适用于服务器、电信、照明和工业控制等多个领域。其高可靠性和稳定性使其成为各种严苛应用的理想选择。
    推荐
    鉴于09N70I-A-VB的出色性能和广泛适用性,强烈推荐用于需要高效率和可靠性的电源管理系统和电力转换装置。同时,建议在使用前详细阅读技术手册,以确保正确安装和优化其性能。

09N70I-A-VB参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 10A
栅极电荷 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

09N70I-A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

09N70I-A-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 09N70I-A-VB 09N70I-A-VB数据手册

09N70I-A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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