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FQPF33N10L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,50A,RDS(ON),40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: 14M-FQPF33N10L-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQPF33N10L-VB

FQPF33N10L-VB概述

    FQPF33N10L-VB MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    FQPF33N10L-VB 是一款由 VBsemi 生产的N沟道100伏特(D-S)TrenchFET® 功率MOSFET。该器件主要用于隔离式直流/直流转换器中。其主要功能包括低热阻封装、高温操作能力以及高可靠性测试,适用于需要高性能和耐用性的应用场景。

    2. 技术参数


    以下是该MOSFET的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极击穿电压 | V(BR)DSS | 100 V |
    | 门限电压 | VGS(th) 4.5 | V |
    | 漏电流(零门压) | IDSS | 1 250 | µA |
    | 开启状态漏极电流 | ID(on) | 120 A |
    | 导通电阻 | rDS(on) | 0.034 0.084 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | 5100 pF |
    | 输出电容 | Coss | 480 pF |
    | 传输电容 | Crss | 210 pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | 90 | 130 nC |

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的TrenchFET技术,提供卓越的导通电阻和栅极电荷。
    - 高温操作能力:能够在-55°C至175°C的温度范围内正常工作,适用于极端环境。
    - 高可靠性测试:100%栅极电阻(Rg)测试,确保出厂前的产品品质。
    - 低热阻封装:热阻为40°C/W,有助于提高散热性能。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 隔离式直流/直流转换器:适用于电信、服务器、工业自动化等领域中的电源模块。
    使用建议:
    - 在选择驱动电路时,应考虑其栅极电阻和驱动电压以确保最佳性能。
    - 考虑到MOSFET的热管理,建议在PCB上增加散热片或铜箔,以减少热阻。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与标准的TO-220 FULLPAK封装兼容,可直接替换传统MOSFET。
    - 技术支持:提供详细的技术文档、在线支持及客户服务热线400-655-8788,解决用户在应用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温环境下无法正常工作 | 确保散热措施,如增加散热片 |
    | 开关速度慢 | 检查栅极驱动信号是否符合要求 |
    | 损坏 | 检查电路设计和负载条件 |

    7. 总结和推荐


    总结:
    FQPF33N10L-VB MOSFET以其出色的耐温能力和高可靠性成为高性能电源转换的理想选择。它的低导通电阻和栅极电荷使其在各种应用中表现优异。
    推荐:
    强烈推荐在要求高效能和可靠性的电源转换系统中使用FQPF33N10L-VB。其优异的性能和广泛的适用范围使其成为市场的理想选择。

FQPF33N10L-VB参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@10V,48mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 50A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FQPF33N10L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQPF33N10L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQPF33N10L-VB FQPF33N10L-VB数据手册

FQPF33N10L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 3.7093
30+ ¥ 3.3106
100+ ¥ 2.4806
1000+ ¥ 2.3878
3000+ ¥ 2.3183
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