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UT2302L-AE2-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3 \n 一款单 N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
供应商型号: UT2302L-AE2-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT2302L-AE2-R-VB

UT2302L-AE2-R-VB概述

    N-Channel 20V MOSFET UT2302L-AE2-R 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 20V (D-S) MOSFET(型号:UT2302L-AE2-R)是一款高性能的场效应晶体管,专为直流转换器及便携式应用中的负载开关而设计。该产品采用了先进的TrenchFET®技术,确保其在紧凑封装内实现卓越的性能。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 最大漏源电压 (VDS): 20 V
    - 最大栅源电压 (VGS): ± 12 V
    - 持续漏极电流 (TJ = 150°C): 6 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 20 A
    - 最大功率耗散 (PD): 2.1 W (TC = 25°C), 1.3 W (TC = 70°C)
    - 性能参数:
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在VGS = 4.5 V时:0.028 Ω
    - 在VGS = 2.5 V时:0.042 Ω
    - 在VGS = 1.8 V时:0.050 Ω
    - 门极电荷 (Qg):
    - 在VGS = 4.5 V时:8.8 nC
    - 在VGS = 5 V时:12 nC
    - 反向恢复时间 (trr):5-20 ns
    - 工作环境:
    - 工作结温范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 储存温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 最大接面至外壳热阻 (RthJA): 80°C/W(典型值)

    3. 产品特点和优势


    - 环保标准:符合IEC 61249-2-21和RoHS指令,适用于无卤材料要求。
    - 高可靠性:所有产品均经过100% Rg测试。
    - 低导通电阻:即使在低驱动电压下,也能保持较低的导通电阻。
    - 优异的动态性能:得益于先进的TrenchFET技术,具备低门极电荷和快速开关速度。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:
    - 电源管理中的直流-直流转换器
    - 便携设备的负载开关
    - 使用建议:
    - 确保电路中的最大漏源电压不超过20 V。
    - 使用适当的散热措施以确保器件在高功率状态下的稳定性。
    - 在脉冲条件下使用时,要特别注意控制电流和时间,以防止器件过热损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适合SOT-23封装,兼容市面上常见的PCB焊接工艺。
    - 支持信息:
    - 厂商提供技术文档和技术支持。
    - 提供长期的售后服务,确保客户能够获得及时的技术帮助和配件供应。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:在高负载下工作时出现过热现象。
    - 解决方案:检查并改进散热方案,确保散热片或散热器安装正确,提升整体散热效率。
    - 问题二:长时间工作后发现性能下降。
    - 解决方案:定期进行检查和测试,确保连接良好且没有氧化或磨损情况。
    - 问题三:设备间歇性故障。
    - 解决方案:重新焊接或更换可能接触不良的焊点。

    7. 总结和推荐


    N-Channel 20V MOSFET UT2302L-AE2-R 是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,非常适合应用于便携式设备和直流转换器中。其低导通电阻和良好的动态性能使其成为众多工程师的首选。强烈推荐用于需要高效率和紧凑解决方案的应用场合。

UT2302L-AE2-R-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 6A
Vgs-栅源极电压 8V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV~1V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT2302L-AE2-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT2302L-AE2-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT2302L-AE2-R-VB UT2302L-AE2-R-VB数据手册

UT2302L-AE2-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
115+ ¥ 0.2328
300+ ¥ 0.2156
500+ ¥ 0.207
3000+ ¥ 0.1984
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