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QM04N65F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: QM04N65F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) QM04N65F-VB

QM04N65F-VB概述

    QM04N65F N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

    产品简介


    QM04N65F 是一款高性能的 N 沟道 650V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高压直流转换和电机控制应用。其高耐压能力和低导通电阻使其成为开关电源和逆变器的理想选择。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 650V
    - 门源电压 (VGS): ±30V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - 在 10V VGS 条件下:3.8A
    - 在 25 °C 时:2.5Ω
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大 48nC
    - 门源电荷 (Qgs): 12nC
    - 门源电容 (Ciss): 1080pF
    - 反向转移电容 (Crss): 7.0pF
    - 有效输出电容 (Coss eff.): 84pF
    - 封装类型: TO-220 FULLPAK
    - 工作温度范围: -55 °C 到 +150 °C

    产品特点和优势


    QM04N65F 具有多项独特的功能和优势:
    - 低栅极电荷:QM04N65F 的低栅极电荷使得驱动要求简单,降低了电路设计的复杂度。
    - 高耐用性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性,确保了在高压应用中的稳定运行。
    - 完全额定:完全标定的电容和雪崩电压及电流,提高了可靠性和可预测性。
    - 环保合规:符合 RoHS 指令 2002/95/EC 和欧盟法规,满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    QM04N65F 可用于各种高压应用场合,如开关电源、逆变器、电机驱动系统等。例如,在设计开关电源时,可以利用其低栅极电荷特性简化驱动电路的设计。在电机控制系统中,其高耐压能力和低导通电阻有助于提高系统的整体效率和可靠性。
    使用建议:
    - 在高压应用中,应特别注意散热管理,确保器件不会过热。
    - 适当选择栅极电阻 (RG),以避免不必要的功耗和信号失真。
    - 使用良好的 PCB 设计,减少寄生电感和泄漏电流,从而提升整体性能。

    兼容性和支持


    QM04N65F 支持广泛的电源和控制系统应用,且具有与多种电子元件的良好兼容性。厂商提供了详细的文档和技术支持,确保用户能够轻松集成并优化其应用。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件过热怎么办?
    - 解决方案:确保正确的散热设计,如使用散热片或散热风扇,以保持器件在安全的工作温度范围内。
    2. 问题:驱动电路不稳定怎么办?
    - 解决方案:检查驱动电路的阻抗匹配,特别是栅极电阻 (RG) 和漏极电阻 (RD) 的选择,确保其适合于当前的应用条件。
    3. 问题:输出波形不理想怎么办?
    - 解决方案:确认负载条件和驱动信号的波形是否正确,必要时调整驱动信号的频率和占空比。

    总结和推荐


    综上所述,QM04N65F N 沟道 650V 功率 MOSFET 在高压应用中表现出色,具备低栅极电荷、高耐用性和完全标定的优点。建议在需要高压稳定运行和高效能的场合使用,如开关电源和电机控制系统。其环保合规和良好的技术支持也使其成为值得信赖的选择。

QM04N65F-VB参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 4A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

QM04N65F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

QM04N65F-VB数据手册

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QM04N65F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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