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2SK2662T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: 2SK2662T-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2662T-VB

2SK2662T-VB概述

    2SK2662T Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    2SK2662T 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,适用于多种高功率和高频应用。它的低导通电阻(RDS(on))和极低栅极电荷(Qg)使其成为服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明(如高强度放电灯 HID 和荧光灯管)应用的理想选择。此外,它也可广泛应用于工业自动化和控制系统中。

    技术参数


    2SK2662T 的关键技术参数如下:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 额定电压(VDS) | - | 650 | - | V |
    | 导通电阻(RDS(on)) | - | 1.0 | - | Ω |
    | 栅源电容(Ciss) | - | - | - | pF |
    | 栅漏电荷(Qg) | - | 32 | - | nC |
    | 栅源电荷(Qgs) | - | 8.6 | - | nC |
    | 栅漏电荷(Qgd) | - | 10 | - | nC |
    | 转导电容(Coss) | - | - | - | pF |
    | 反向转移电容(Crss) | - | - | - | pF |
    | 绝对最大额定值 | - | - | - | - |
    | 管脚温度(TJ, Tstg) | -55 | +150 | °C |
    工作条件包括重复脉冲条件下最大连续漏极电流(ID)、瞬态雪崩能量(EAS)以及最高结温(TJ)等。其他参数还包括输入电容、输出电容、动态特性等。

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on) 仅为 1.0Ω,有效降低功耗和热量产生。
    - 极低栅极电荷:Qg 仅为 32nC,降低驱动电路的能耗。
    - 快速开关:低输入电容(Ciss)和低栅漏电荷(Qgd)使器件具有出色的高频响应特性。
    - 高可靠性:具备重复雪崩能量(EAS)的评级,适合恶劣环境下的应用。
    - 高效率:减少开关损耗和传导损耗,适用于高效率要求的应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应:在高电流、高频率应用中,确保长期稳定运行。
    - 工业自动化:适合用于各种自动化控制和驱动系统,保证高效能和稳定性。
    - 照明系统:例如高强度放电灯和荧光灯管驱动电路,提高照明效率和可靠性。
    使用建议:
    - 散热设计:由于 MOSFET 工作时会产生热量,需要合理的散热设计以保持良好的工作状态。
    - 布局优化:电路板设计时尽量减少寄生电感和电容,避免干扰信号的传输。

    兼容性和支持


    2SK2662T 与其他标准 TO-220 全框封装的 MOSFET 相兼容,易于替换。制造商提供详尽的技术支持文档和售后服务,包括使用手册、数据表和典型应用电路图等资源。

    常见问题与解决方案


    - 问题:工作时温度过高,导致热关断。
    - 解决办法:增加外部散热片或采用更好的散热设计,确保良好的热传导和热扩散。
    - 问题:启动时出现异常噪音。
    - 解决办法:检查电路板设计,减少布线中的寄生电感和电容,改善 PCB 布局。

    总结和推荐


    2SK2662T 在多个关键参数上表现出色,特别适合于高功率、高频率应用。其低导通电阻和低栅极电荷使得它在高效率应用中表现优异。结合制造商提供的技术支持和服务,这款 MOSFET 将是您电子系统中不可或缺的组件。因此,我们强烈推荐在您的设计中使用 2SK2662T。

2SK2662T-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 7A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK2662T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2662T-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2662T-VB 2SK2662T-VB数据手册

2SK2662T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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