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IRLR110TRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
供应商型号: IRLR110TRPBF-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLR110TRPBF-VB

IRLR110TRPBF-VB概述


    产品简介


    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
    这款N沟道MOSFET是一种采用TrenchFET®技术的功率场效应晶体管(Power MOSFET),适用于多种电力转换应用。它具有高温度耐受能力,能够在高达175°C的结温下稳定工作,特别适合于脉宽调制(PWM)电路中作为主侧开关使用。该产品完全符合欧盟RoHS指令要求。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS): 100 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 175°C):
    - TC = 25°C: 13 A
    - TC = 125°C: 13 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 40 A
    - 最大功耗 (TC = 25°C): 96 W
    - 热阻 (Junction-to-Ambient, t ≤ 10 s): 15°C/W
    - 导通电阻 (RDS(on), VGS = 10 V, ID = 3 A): 0.038 Ω
    - 工作环境温度范围: -55°C 至 +175°C
    - 栅阈值电压 (VGS(th)): 从技术规格表中查得具体值

    产品特点和优势


    1. 高温稳定性: 能够承受最高175°C的结温,确保在极端环境下正常运行。
    2. 低导通电阻: 具有极低的导通电阻(RDS(on)),降低功率损耗并提高效率。
    3. 符合RoHS标准: 保证产品的环保性和安全性。
    4. 优化设计: 专门为PWM应用优化,使其在电力转换中表现出色。
    5. 100% Rg测试: 所有产品都经过严格的栅极电阻(Rg)测试,确保产品质量。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源适配器: 用于笔记本电脑或智能手机的充电器中。
    - 电机驱动: 在工业自动化系统中用于控制电机的开关。
    - LED驱动: 用于LED照明系统的电源管理。
    使用建议
    - 散热管理: 在高功率应用中,确保良好的散热以避免过热损坏。
    - 栅极驱动: 使用适当的栅极驱动器以减少开关损耗,特别是在高速PWM应用中。
    - 保护电路: 设计合理的过流保护电路,以防止短路等故障情况。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 这款MOSFET可以与其他标准的电源模块和电路板兼容,便于集成到现有系统中。
    - 支持: 厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括在线文档、应用指南和技术咨询等资源。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关损耗大
    - 解决方案: 确保使用适当的栅极驱动器,优化栅极电阻以减小开关时间。
    - 问题2: 过热
    - 解决方案: 改善散热设计,例如增加散热片或风扇,确保良好的空气流通。
    - 问题3: 寿命短
    - 解决方案: 检查是否使用不当的驱动电压或超过额定条件工作,确保在规定的温度范围内操作。

    总结和推荐


    综上所述,N-Channel 100 V (D-S) MOSFET以其卓越的高温稳定性、低导通电阻和广泛的应用领域成为一款非常优秀的电力电子器件。它的优点在于高效能和高可靠性,使其非常适合于多种应用场合。因此,我强烈推荐此产品给需要高性能MOSFET的工程师和技术爱好者们。

IRLR110TRPBF-VB参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Id-连续漏极电流 18A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,121mΩ@4.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRLR110TRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLR110TRPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLR110TRPBF-VB IRLR110TRPBF-VB数据手册

IRLR110TRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.5757
100+ ¥ 1.459
500+ ¥ 1.4006
2500+ ¥ 1.3423
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