处理中...

首页  >  产品百科  >  K20P04M1-VB

K20P04M1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V) 封装:TO252 由于其中等漏极电流和适中的漏极-源极电阻,可用于设计各种电源模块,如直流-直流(DC-DC)转换器和交流-直流(AC-DC)转换器。
供应商型号: K20P04M1-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K20P04M1-VB

K20P04M1-VB概述


    产品简介


    产品名称: N-Channel 40V MOSFET
    产品型号: K20P04M1
    制造商: VBsemi
    主要功能: K20P04M1是一款N沟道40V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的TrenchFET® Power MOSFET技术制造。该器件在高电流和高频应用中表现出色,适用于多种工业和消费电子产品。
    应用领域:
    - 电源管理(如OR-ing)
    - 服务器
    - 直流到直流转换(DC/DC)

    技术参数


    | 参数名称 | 规格 |

    | 漏极-源极电压 (VDS) | 40V |
    | 漏极连续电流 (ID) | 90A (TC=25°C),15.8A (TA=25°C) |
    | 门限电压 (VGS(th)) | 1.5V 至 2.5V |
    | 门源泄漏电流 (IGSS) | ±100nA |
    | 阈值电压温度系数 (ΔVGS(th)/TJ)| -7.5 mV/°C |
    | 最大漏极脉冲电流 (IMD) | 200A |
    | 连续源-漏二极管电流 (IS) | 90A (TC=25°C),3.13A (TA=25°C) |
    | 最大功耗 (PD) | 100W (TC=25°C),75W (TA=25°C) |
    | 热阻 (RthJA) | 32°C/W (最大) |
    | 工作温度范围 (TJ, Tstg)| -55°C 至 175°C |

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术: 采用先进的沟槽结构,具有较低的导通电阻,从而减少了能耗。
    - 可靠测试: 100% Rg和UIS测试,确保产品的可靠性。
    - 环保标准: 符合RoHS 2011/65/EU标准,环保无铅。
    - 优异性能: 低漏电、高阈值电压稳定性,使其在高温和低温环境下均能稳定工作。
    - 适用广泛: 适用于各种功率转换和开关电路,提高系统的整体效率和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源管理: 在数据中心的服务器中用于高效的电源管理和冗余设计。
    - 直流到直流转换器: 在工业控制和通信设备中作为开关元件,实现高效能的电压转换。
    使用建议:
    - 散热管理: 由于热阻较高,在高负载运行时需要良好的散热措施,以防止过热损坏。
    - 驱动电路设计: 使用适当的驱动电路,减少开关损耗,提高系统效率。
    - 保护电路: 添加保护电路,避免电压瞬变对器件造成损害。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品适用于常见的PCB设计,可以与大多数标准插接件和焊接工艺兼容。
    - 技术支持: VBsemi提供全面的技术支持和售后服务,包括产品咨询、设计指导和故障排查。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 温度过高导致的性能下降 | 增加散热片,优化散热设计 |
    | 开关频率不稳定 | 检查门极驱动电路,调整驱动电阻 |
    | 高频应用下的电磁干扰 | 添加滤波电路,减少外部噪声 |
    | 电流过大导致的烧毁 | 增加外置保护电路,限制最大电流 |

    总结和推荐


    K20P04M1 N-Channel 40V MOSFET凭借其高性能、高可靠性和广泛的适用性,在众多工业和消费电子领域展现出卓越的性能。其先进的TrenchFET® 技术、优秀的温控能力和环保标准,使其成为现代电力电子系统不可或缺的一部分。在使用过程中,合理的设计和散热管理将有助于充分发挥其潜力。因此,强烈推荐在相关的应用中使用此款MOSFET。

K20P04M1-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 50A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,14mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 40V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.78V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K20P04M1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K20P04M1-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K20P04M1-VB K20P04M1-VB数据手册

K20P04M1-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
库存: 400000
起订量: 20 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 35
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504