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FQP6N40CF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220 适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: FQP6N40CF-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQP6N40CF-VB

FQP6N40CF-VB概述

    FQP6N40CF-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FQP6N40CF-VB 是一款 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于开关电源、不间断电源和高速功率开关等领域。这款 MOSFET 采用 TO-220AB 封装,具有低门极电荷(Qg)的特点,这意味着驱动要求简单,并且具备出色的门极、雪崩和动态 dV/dt 抗压能力。

    2. 技术参数


    以下是 FQP6N40CF-VB 的关键技术和性能参数:
    - 最大耐受电压 (VDS):600 V
    - 导通电阻 (RDS(on))(当 VGS = 10 V):0.780 Ω
    - 最大总门极电荷 (Qg max.):49 nC
    - 门极-源极电荷 (Qgs):13 nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd):20 nC
    - 最大连续漏极电流 (ID)(当 VGS = 10 V, TC = 25 °C):8.0 A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):37 A
    - 最大功耗 (PD)(当 TC = 25 °C):170 W
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS):290 mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR):8.0 A
    - 重复雪崩能量 (EAR):17 mJ
    - 最大结温 (TJ):150 °C
    - 封装尺寸:TO-220AB

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷 (Qg):简化驱动需求,降低功耗。
    - 增强型门极、雪崩和动态 dV/dt 耐压性:提升可靠性,适应恶劣的工作环境。
    - 全面的电容和雪崩电压电流特性:确保稳定性和高效能。

    4. 应用案例和使用建议


    FQP6N40CF-VB 可广泛应用于各种高效率电源转换系统中,如开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和高速功率开关。具体应用实例包括:
    - Active Clamped Forward 拓扑:用于高效率的离线开关电源设计。
    - 主开关应用:适合于高压环境下的高效开关控制。
    使用建议:
    - 确保电路布局中的寄生电感和漏感尽可能小,以减少噪声干扰。
    - 使用接地平面来提高电磁兼容性(EMC)。
    - 在实际应用中,需要根据产品手册进行详细的热管理和负载测试,以确保最佳性能和可靠性。

    5. 兼容性和支持


    FQP6N40CF-VB 与其他电子元器件和设备具有良好的兼容性,适合大多数现代电力电子系统。厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括详细的安装指南、故障排查手册和在线技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何正确驱动 MOSFET?
    - 解决方案:使用适当的驱动器,并确保输入信号符合规格要求。
    - 问题2:如何处理热管理问题?
    - 解决方案:选择合适的散热片,并确保良好的空气流通。
    - 问题3:如何防止过载保护失效?
    - 解决方案:通过监测和调节电流来避免过载情况发生。

    7. 总结和推荐


    综上所述,FQP6N40CF-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,具备优异的耐压性和低功耗特性,非常适合应用于高压、高频的电力转换场合。它具有简单的驱动需求和出色的可靠性,是一款值得推荐的产品。
    推荐指数:★★★★★
    通过以上分析可以看出,FQP6N40CF-VB 在技术参数和性能方面表现优异,能够满足多种应用场景的需求。无论是从技术指标还是实际应用来看,这款产品都表现出色。因此,我们强烈推荐这款产品给需要高性能 N-Channel MOSFET 的工程师和制造商。

FQP6N40CF-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 8A
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 600V
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FQP6N40CF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQP6N40CF-VB数据手册

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FQP6N40CF-VB封装设计

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