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G20N60B3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
供应商型号: G20N60B3-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) G20N60B3-VB

G20N60B3-VB概述

    G20N60B3-VB N-Channel 650V Super Junction MOSFET 技术手册

    产品简介


    G20N60B3-VB 是一款 N-Channel 650V(D-S)超级结 MOSFET,专为高效率和低损耗的应用而设计。该产品广泛应用于电信、照明、消费电子、工业和可再生能源等领域,例如服务器和电信电源、高强度放电灯(HID)照明、荧光灯照明、ATX电源、焊接、电池充电器以及太阳能光伏逆变器等。

    技术参数


    以下是 G20N60B3-VB 的主要技术规格:
    - 额定电压(VDS):650 V
    - 最大工作温度(TJ):150 °C
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.19 Ω(VGS = 10 V)
    - 最大漏极电流(ID):25 °C 时 13 A;100 °C 时 13 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):60 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):367 mJ
    - 最大功率耗散(PD):208 W
    - 输入电容(Ciss):2322 pF(VGS = 0 V,VDS = 100 V,f = 1 MHz)
    - 输出电容(Coss):105 pF
    - 总栅极电荷(Qg):106 nC
    - 开关时间延迟(td(on)):22 ns(VDD = 520 V,ID = 11 A,VGS = 10 V,Rg = 9.1 Ω)
    - 反向恢复时间(trr):160 ns(TJ = 25 °C,IF = IS = 11 A,dI/dt = 100 A/μs,VR = 25 V)

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:栅极电荷低至 106 nC,有助于减少开关损耗。
    2. 低正向恢复时间和低恢复电荷:反向恢复时间仅为 160 ns,恢复电荷仅为 1.2 μC,有效降低了功率损耗。
    3. 高击穿电压和低导通电阻:额定击穿电压为 650 V,低导通电阻仅为 0.19 Ω,适用于高电压和大电流应用。
    4. 低输入电容:输入电容为 2322 pF,有利于提高开关速度。
    5. 宽工作温度范围:支持的工作温度范围为 -55 °C 至 +150 °C,适用于各种恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    G20N60B3-VB 可以应用于多种场合,例如:
    - 电信电源:用于服务器和电信设备中的电源转换,由于其低功耗和高可靠性,可提高电源系统的整体效率。
    - 照明系统:在 HID 和荧光灯照明系统中,可以显著提升能效并降低热量产生。
    - 消费电子:用于 ATX 电源供应,能够有效提升系统稳定性和响应速度。
    - 工业设备:适用于焊接和电池充电器,保证在高温和大电流条件下的可靠运行。
    - 可再生能源:在太阳能光伏逆变器中,通过其高效的能量转换能力,实现更高能源利用效率。
    使用建议:
    - 在高频应用中,应注意保持电路布局尽可能短,以减少寄生电感和寄生电容的影响。
    - 在高功率应用中,使用适当的散热片以确保 MOSFET 在高温环境下正常工作。

    兼容性和支持


    G20N60B3-VB 可与其他标准 TO-220AB 封装的 MOSFET 设备兼容。台湾 VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,客户可以通过服务热线 400-655-8788 获取技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET 发热严重。
    - 解决方案:确保安装合适的散热片,并检查电路布局以减少寄生电感。

    - 问题:输出不稳定。
    - 解决方案:检查电源电压和栅极驱动信号的稳定性,确认没有噪声干扰。
    - 问题:切换速度慢。
    - 解决方案:降低电路中的寄生电感,增加栅极驱动强度。

    总结和推荐


    G20N60B3-VB MOSFET 具有优异的性能和广泛应用范围,特别适合于需要高效率、低损耗和高可靠性的电力电子系统。其独特的技术参数使其在多种应用场景中表现出色,无论是电信、照明还是工业控制领域,都能提供卓越的性能。综上所述,强烈推荐使用 G20N60B3-VB MOSFET,以实现最佳的电力转换效果。

G20N60B3-VB参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 20A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

G20N60B3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

G20N60B3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 G20N60B3-VB G20N60B3-VB数据手册

G20N60B3-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 11.6609
100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
1000+ ¥ 9.5015
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型号 价格(含增值税)
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