处理中...

首页  >  产品百科  >  2SK3917-01MR-VB

2SK3917-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: 2SK3917-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3917-01MR-VB

2SK3917-01MR-VB概述


    产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)
    Power MOSFET是一种高效的开关器件,广泛应用于电源管理和信号控制领域。它具有低导通电阻(RDS(on))和快速开关特性,适用于各种高效率的电力转换应用。主要应用领域包括服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明系统(如高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器),以及工业设备。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):最大650V,在TJmax时达到。
    - 最大漏极电流 (ID):在TC=25°C时为2A,在TC=100°C时为4A。
    - 导通电阻 (RDS(on)):在25°C时最大值为1Ω,典型值为0.5Ω。
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值为32nC。
    - 栅源电荷 (Qgs):最大值为16nC。
    - 栅漏电荷 (Qgd):最大值为10nC。
    - 最大功耗 (PD):最大为140W。
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS):最大为97mJ。
    - 最大工作温度 (TJ, Tstg):-55°C至+150°C。

    产品特点和优势


    - 低电阻(RDS(on)):低导通电阻可以减少功耗,提高能源效率。
    - 低栅极电荷(Qg):这有助于降低开关损耗,实现更高效的转换。
    - 低输入电容(Ciss):这可以加快切换速度,进一步提高能效。
    - 优化的雪崩性能:这使得该器件能够在极端条件下保持稳定。

    应用案例和使用建议


    应用场景:该器件在多种高效率电力转换系统中得到广泛应用,例如在服务器和电信设备中作为电源管理的核心组件。此外,由于其优良的热稳定性和耐高温特性,该器件也适用于工业应用,如电机驱动和电源管理。
    使用建议:考虑到高电流密度可能引起的过热,应在电路设计中增加适当的散热措施。此外,建议采用低阻抗的电源供应线路以减少内部电阻导致的能量损失。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与大多数主流电源管理电路兼容。
    - 支持和维护:VBsemi公司提供了全面的技术支持,包括详细的用户指南和在线技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过热导致的器件损坏。
    解决方案:增加外部散热器或优化电路布局以提高散热效果。
    2. 问题:无法实现预期的电流传输能力。
    解决方案:检查并确保所有连接正确无误,并适当减小负载以匹配器件的额定电流。
    3. 问题:器件在高频应用中的性能不达标。
    解决方案:考虑使用其他专门针对高频应用的型号或优化电路布局,以减小寄生电感。

    总结和推荐


    总体评价:这款Power MOSFET凭借其出色的性能参数和广泛的应用范围,在市场上具备很高的竞争力。它的高效率、低损耗以及卓越的耐温性能使其成为众多电源管理系统中的理想选择。对于需要高效且可靠的电力转换解决方案的应用,推荐使用这款产品。

2SK3917-01MR-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 7A
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK3917-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3917-01MR-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK3917-01MR-VB 2SK3917-01MR-VB数据手册

2SK3917-01MR-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831