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250N06N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 是一款性能优越的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足电源供应模块、电动工具、电动车控制器、工业自动化、LED照明不同应用的需求。
供应商型号: 250N06N-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 250N06N-VB

250N06N-VB概述


    产品简介


    产品名称:250N06N N-Channel MOSFET
    产品类型:250N06N是一款N沟道功率MOSFET,采用TrenchFET技术制造,适用于各种高效率开关电源和电机控制应用。该器件能够在极端环境下(如175°C的结温)保持稳定的性能,确保在恶劣环境下的可靠运行。
    主要功能:
    - 高温耐受性:最高工作结温可达175°C
    - 低导通电阻(rDS(on))
    - 适用于高频开关应用
    应用领域:
    - 开关电源
    - 电机驱动
    - 电池管理
    - 通信设备

    技术参数


    - 电压等级:60V
    - 导通电阻:在VGS = 10V时,rDS(on) = 0.025Ω;在VGS = 4.5V时,rDS(on) = 0.030Ω
    - 连续漏极电流(TJ = 175°C):在TC = 25°C时,ID = 45A;在TC = 100°C时,ID = 35A
    - 最大脉冲漏极电流:IDM = 100A
    - 最大耗散功率:PD = 100W(TC = 25°C)
    - 存储温度范围:-55°C至175°C
    - 热阻:RthJA = 18-22°C/W(t ≤ 10秒),RthJC = 3.2-4°C/W

    产品特点和优势


    特点:
    - 高温耐受性:175°C的最高工作结温,适合在极端条件下使用
    - 低导通电阻:降低功耗,提高能效
    - 高速开关性能:适用于高频电路
    优势:
    - 高性能:卓越的开关速度和低损耗
    - 可靠性:广泛的工作温度范围确保长期稳定运行
    - 节省成本:减少外部散热器需求,简化设计

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 在电动车充电站中,用于高频率开关电源,提升整体能效
    - 在工业电机控制系统中,确保高效、可靠的电机驱动
    使用建议:
    - 在设计应用时,考虑散热要求,选择合适的散热方案以保证器件在极限条件下的稳定运行
    - 在电路设计中,合理设置栅极电阻以避免过高的栅极电压应力

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 与常见的工业标准接口兼容,易于集成到现有系统中
    支持:
    - 厂商提供详尽的技术文档和技术支持服务
    - 客户可联系400-655-8788获取更多技术支持和帮助

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开机后MOSFET发热严重 | 确认散热方案是否充分,必要时增加散热片或使用散热器 |
    | MOSFET失效 | 检查电路设计,确认是否存在过压或过流情况 |
    | 工作温度超过规定范围 | 调整工作环境,确保工作温度在规定范围内 |

    总结和推荐


    总结:
    250N06N N-Channel MOSFET以其出色的高温耐受性和低导通电阻,成为许多高效率开关电源和电机控制系统的理想选择。它不仅在极端环境下表现出色,而且具备优秀的性能和可靠性。
    推荐:
    强烈推荐在需要高性能、高可靠性的应用中使用250N06N。该器件不仅能够满足苛刻的应用需求,还能够有效降低成本并简化设计复杂度。

250N06N-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 45A
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

250N06N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

250N06N-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 250N06N-VB 250N06N-VB数据手册

250N06N-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
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型号 价格(含增值税)
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